徐文婷

作品数：5被引量：19H指数：2
导出分析报告
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：数值模拟SI离子注入硅单晶固液界面更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《人工晶体学报》《稀有金属》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家科技重大专项国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Cusp磁场中CZ硅氧浓度分布的数值模拟
《微电子学》2012年第5期729-732,共4页王永涛 库黎明 徐文婷 戴小林 肖清华 闫志瑞 周旗钢 
国家科技重大专项(2008zx02401;2009zx02011)
利用FEAMG-CZ软件,模拟研究了cusp磁场对称面(定义为0高斯面)与熔体自由表面距离对直拉硅固液界面氧浓度分布的影响。结果表明:随着0高斯面的下移,熔体中的最小氧浓度降低,而固液界面的氧浓度升高,且径向均匀性变差。分析表明,这与熔体...
关键词：cusp磁场 直拉硅 氧浓度 数值模拟 
忆阻器材料的研究进展被引量：4
《材料导报》2012年第11期31-35,共5页曲翔 徐文婷 肖清华 刘斌 闫志瑞 周旗钢 
国家科技重大专项项目(2008ZX02401)
忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型;综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如...
关键词：忆阻器 薄膜材料 阻变机制 电激励 
热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟被引量：13
《人工晶体学报》2012年第1期238-242,252,共6页滕冉 戴小林 徐文婷 肖清华 周旗钢 
科技部国际科技合作项目(2007DFC50310);国家科技重大专项项目(2008ZX02401)
通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案。数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使...
关键词：硅单晶 数值模拟 热屏 固液界面 
Si_(0.2)Ge_(0.8)/Ge异质结的离子束辅助固相外延生长
《微纳电子技术》2011年第12期797-801,共5页徐文婷 肖清华 常青 屠海令 
国家自然科学基金资助项目(60706001);国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401)
采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质...
关键词：SiGe/Ge 异质结 离子注入 固相外延 缺陷 
黑硅制备技术及其应用的研究进展被引量：2
《稀有金属》2010年第6期930-935,共6页徐文婷 屠海令 常青 肖清华 
国家自然科学基金(60706001)资助项目
基于黑硅材料的发展,讨论了国内外在黑硅制备技术方面的研究进展,包括反应离子刻蚀法、飞秒激光脉冲法、电化学刻蚀法及金属辅助刻蚀法,总结了各种工艺在应用上的特点,对黑硅材料当前取得的应用及发展进行了综述。结果表明:黑硅材料的...
关键词：黑硅 微结构 反射率 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部