固相外延

作品数：25被引量：20H指数：3
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相关机构：中国科学院复旦大学华南理工大学中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
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固相外延生长法制备ZSM-5@Silicalite-1分子筛及其CO_(2)加氢耦合甲苯烷基化反应的影响
《燃料化学学报（中英文）》2024年第8期1115-1130,共16页贾艺敏 牛鹏宇 贾丽涛 林明桂 郭荷芹 肖勇 侯博 李德宝 
山西省重点研发计划(202102090301003)资助。
本研究采用固相法在ZSM-5表面外延生长Silicalite-1,制备出ZSM-5@Silicalite-1分子筛。同时制备高活性氧化物ZnZrOx,并与ZSM-5@Silicalite-1物理混合组成ZnZrOx/ZSM-5@Silicalite-1双功能催化剂,研究了CO_(2)加氢耦合甲苯烷基化催化性...
关键词：MFI型分子筛 外延生长 对二甲苯 固相法 CO_(2)加氢耦合甲苯烷基化 
接触电阻技术研究新进展被引量：1
《微电子学》2018年第6期791-797,805,共8页张楠 张静 魏淑华 王艳蓉 王文武 闫江 
国家自然科学基金资助项目(61674003)
从肖特基势垒高度、有效掺杂浓度和有效质量的优化和控制等方面,对接触电阻的最新技术进行了详细的总结。首先,分析了插入界面层的金属-绝缘体-半导体接触结构、界面钝化、杂质分凝技术对于降低肖特基势垒高度的效果。其次,讨论了原位...
关键词：肖特基势垒高度 原位掺杂 固相外延 激光退火 
Si_(0.2)Ge_(0.8)/Ge异质结的离子束辅助固相外延生长
《微纳电子技术》2011年第12期797-801,共5页徐文婷 肖清华 常青 屠海令 
国家自然科学基金资助项目(60706001);国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401)
采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质...
关键词：SiGe/Ge 异质结 离子注入 固相外延 缺陷 
退火条件对Sn量子点生长和红外光学性质的影响
《材料导报》2010年第14期19-21,36,共4页赵希磊 梁勇 张忠锁 黄高鹏 王科范 
教育部"博士生创新计划"同步辐射研究生创新基金资助项目(20090655S);河南大学省部共建项目(SBGJ090514)
首次采用固相外延生长技术在Si(001)表面直接生长Sn量子点,并应用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和同步辐射傅里叶红外光谱(FTIR)研究了退火条件对量子点样品的表面形貌、结晶性和红外光学性质的影响。AFM结果表明,随着退火温度的...
关键词：Sn量子点 固相外延 同步辐射红外光谱 
改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1406-1411,共6页刘忠立 李宁 高见头 于芳 
利用注硅固相外延的方法对0.2μmSOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μmSOS...
关键词：固相外延 改性 SOS薄硅膜 CMOS器件 
Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi_2薄膜
《固体电子学研究与进展》2003年第2期149-154,共6页徐蓓蕾 屈新萍 韩永召 茹国平 李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu 
上海市教委资助;上海教育发展基金会曙光计划资助;中国教育部博士点基金资助 ;国家自然科学基金 ( NSFC-60 10 60 0 2;NSFC-60 2 0 60 0 2 )资助
研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结构多层薄膜 ,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应。采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试。...
关键词：金属硅化物 固相外延 扩散阻挡层 晶格失配 Co/Ti/Si结构 钴钛硅化合物 
Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第1期63-67,共5页屈新萍 徐蓓蕾 茹国平 李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu 
国家自然科学基金 (批准号 :60 10 60 0 2 ) ;上海市教委资助;上海教育发展基金会曙光计划;中国教育部博士点基金;国家科委-比利时弗兰德合作资助项目~~
采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经...
关键词：固相反应 固相外延 金属硅化物 二硅化钴 中间层诱导 
Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长被引量：3
《Journal of Semiconductors》2002年第6期604-608,共5页胡冬枝 赵登涛 蒋伟荣 施斌 顾骁骁 张翔九 蒋最敏 
研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底成岛生长...
关键词：外延生长 量子点 固相外延 锗 硅斜切衬底 
离子注入和固相外延制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y半导体薄膜
《物理学报》2002年第10期2340-2343,共4页刘雪芹 王印月 甄聪棉 张静 杨映虎 郭永平 
国家自然科学基金 (批准号 :698760 17)资助课题~~
用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RBS) ,傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和高分辨率x射线衍射 (HRXRD)...
关键词：半导体薄膜 Si1-x-yGexCy薄膜 离子注入 固相外延 制备工艺 PECVD 硅锗碳三元合金薄膜 
预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响被引量：1
《物理学报》2001年第7期1329-1333,共5页王引书 李晋闽 王衍斌 王玉田 孙国胜 林兰英 
室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 )at%的C原子 ,部分样品在C离子注入之前在其中注入2 9Si+ 离子产生损伤 ,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1 -xCx 合金 ,研究了预注入对Si1 -xCx 合金形成的影响 .如果注入C离子的剂量小于引...
关键词：离子注入 固相外延 Si1-xCx合金 损伤 形成机理 
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