云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 胡冬枝

胡冬枝: 作品数：13被引量：17H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>; 发文主题：锗量子点硅GE量子点喇曼光谱更多>>; 发文领域：电子电信理学更多>>; 发文期刊：《光电子．激光》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《电子显微学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响: 《Journal of Semiconductors》2002年第7期731-734,共4页周星飞施斌胡冬枝樊永良龚大卫蒋最敏; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9776 0 10 )~~; 在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是...; 关键词：量子点 Si/Ge界面互扩散分子束外延硅衬底喇曼光谱

Evolution of Self-Organized Ge Quantum Dots During Ultra High Vacuum Annealing: 《Journal of Semiconductors》2002年第6期561-564,共4页胡冬枝杨建树蔡群张翔九胡际璜蒋最敏; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :1983 40 5 0 ); The evolution of self organized Ge quantum dots structure is investigated by scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy during annealing treatment up to 700℃ in an ultra high vacuum(UHV) system.When t...; 关键词：quantum dots Si based materials evolution of morphology atomic force microscopy

Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2002年第6期604-608,共5页胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏; 研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底成岛生长...; 关键词：外延生长量子点固相外延锗硅斜切衬底

硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2000年第8期765-769,共5页周星飞施斌蒋伟荣胡冬枝樊永良龚大卫张翔九蒋最敏; 国家自然科学基金资助项目!( 697760 1 0 ) ;教育部优秀年轻教师基金资助;八六三计划新材料领域资助; 研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原...; 关键词：量子点生长硅衬底硼原子锗

Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2000年第7期662-666,共5页蒋伟荣周星飞施斌胡冬枝刘晓晗蒋最敏张翔九; 国家自然科学基金!( 6 9776 0 10 )项目;86 3计划新材料领域资助项目; 利用喇曼光谱研究了不同温度下在 Si(1 0 0 )衬底上异质外延 Ge层由于扩散引起的 Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂 Sb对其的影响 .结果表明表面活化剂 Sb的存在大大抑制了界面的互扩散 ,在 650℃下也没有观察到明显的界面互混 .没有...; 关键词：互扩散分子束外廷硅锗喇曼光谱

GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制被引量：1: 《光电子．激光》2000年第1期14-16,共3页李宝军万建军李国正刘恩科胡冬枝裴成文秦捷蒋最敏王迅; 国家"八六三"计划资助项目;国家自然科学重点基金资助项目!( 696360 1 0 );中国博士后基金; 基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的...; 关键词：调制器光波导硅化锗合金干涉型

Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究被引量：2: 《Journal of Semiconductors》1999年第7期554-558,共5页裴成文秦捷刘晓晗胡冬枝张翔九黄大鸣蒋最敏; 国家自然科学基金; 利用表面活化剂Ｓｂ在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ｇｅ膜，同步辐射Ｘ射线衍射测量表明Ｇｅ膜为部分应变膜，其应变随厚度增大而减小．相应的喇曼光谱中的Ｇｅ－Ｇｅ振动峰位随应变不同而变化，与应变的关系和文献...; 关键词：硅外延生长锗实验

电导法测量Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱的能带偏移: 《Journal of Semiconductors》1999年第2期139-142,共4页张胜坤蒋最敏秦捷林峰胡冬枝裴成文陆方; 本文分析了一个单量子阱的随频率变化的Ｇ－Ｖ特性，提出用电导法测量量子阱的能带偏移．通过对一个Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单量子阱的实验Ｇ－Ｖ曲线的分析。; 关键词：量子阱能带偏移电导法硅锗测量

用导纳谱研究锗量子点的能级结构: 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第4期496-501,共6页张胜坤朱海军蒋最敏胡冬枝徐阿妹林峰陆昉; 国家自然科学基金(批准号:69776010);高等学校博士学科点专项科研基金; 提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为...; 关键词：量子点导纳谱锗能级结构

自组织生长的锗量子点及其光致发光特性被引量：6: 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第1期122-125,共4页朱海军蒋最敏徐阿妹毛明春胡冬枝黄大鸣陆昉胡长武粕谷厚生; 国家自然科学基金; Si和Ge低维体系材料由于其优越的光电特性,已经广泛地受到人们的重视,尤其是零维体系(量子点).理论预言,量子点尺寸减少到几个纳米时,它的能带结构可以从间接带隙转变为准直接带隙,相应的辐射复合跃迁几率大大增加.制备Ge及GeSi量子点...; 关键词：量子点光致发光自组织生长锗外延生长

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