GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制  

Si Ge/ Si Mach- Zehnder Interferometer Modulator

作　　者：李宝军[1] 万建军[2] 李国正[2] 刘恩科[2] 胡冬枝[1] 裴成文[1] 秦捷[1] 蒋最敏[1] 王迅[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 [2]西安交通大学微电子工程系,西安710049

出　　处：《光电子．激光》2000年第1期14-16,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家"八六三"计划资助项目;国家自然科学重点基金资助项目!( 696360 1 0 );中国博士后基金

摘　　要：基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为 40 m A和 0 .97k A/ cm2 。A Si Ge Mach- Zehnder interferometer modulator based on the plasma dispersion effect has been fabricated.A maximum modulation depth of86 %with aπ- phase- shift voltage of0 .9V has been achieved at1.3μm wavelength.The switching current and the injecting current density are40 m A and 0 .97k A/cm2 ,respectively.

关 键 词：调制器 光波导 硅化锗合金 干涉型 

分 类 号：TN761[电子电信—电路与系统]