自组织生长的锗量子点及其光致发光特性  

作　　者：朱海军[1] 蒋最敏[1] 徐阿妹[1] 毛明春[1] 胡冬枝[1] 黄大鸣[1] 陆昉[1] 胡长武[2] 粕谷厚生 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 [2]日本东北大学金属材料研究所

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第1期122-125,共4页

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：Si和Ge低维体系材料由于其优越的光电特性,已经广泛地受到人们的重视,尤其是零维体系(量子点).理论预言,量子点尺寸减少到几个纳米时,它的能带结构可以从间接带隙转变为准直接带隙,相应的辐射复合跃迁几率大大增加.制备Ge及GeSi量子点的方法有许多,例如,光刻法、选区外延生长、局域分子束外延生长以及自组织生长方法等,其中自组织生长是一种既简便又有效的方法.由于Ge与Si的晶格常数相差较大,Ge在Si上的生长属于S-K模式,即当Ge外延层厚度超过临界厚度(6 ML)时。

关 键 词：量子点 光致发光 自组织生长 锗 外延生长 

分 类 号：TN304.11[电子电信—物理电子学]