Evolution of Self-Organized Ge Quantum Dots During Ultra High Vacuum Annealing  

退火过程中自组织生长 Ge量子点的变化(英文)

作　　者：胡冬枝[1] 杨建树[1] 蔡群[1] 张翔九[1] 胡际璜[1] 蒋最敏[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第6期561-564,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :1983 40 5 0 )

摘　　要：The evolution of self organized Ge quantum dots structure is investigated by scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy during annealing treatment up to 700℃ in an ultra high vacuum(UHV) system.When the sample temperature rises to 630℃,a great amount of new dots emerge on the wetting layer,which are believed to be incoherent islands compared with the dislocation free coherent islands formed during molecular beam epitaxy growth.在超高真空系统中 ,用扫描隧道显微镜 (STM)和原子力显微镜 (AFM)研究了自组织生长的 Ge量子点经不同温度退火后的变化 .实验发现 ,当退火温度为 6 30℃时 ,出现了许多新的量子点 .与原来的在分子束外延过程中形成的无失配位错的量子点相比 。

关 键 词：quantum dots Si  based materials evolution of morphology atomic force microscopy 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]