云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 张翔九

张翔九: 作品数：40被引量：48H指数：4; 导出分析报告; 供职机构：复旦大学更多>>; 发文主题：硅分子束外延SI锗红外探测器更多>>; 发文领域：电子电信理学一般工业技术轻工技术与工程更多>>; 发文期刊：《发光学报》《大连理工大学学报》《物理学报》《物理》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划国家教委资助优秀年轻教师基金国家教育部博士点基金更多>>

微区中MBE共度生长SiGe/Si异质结构的应变和退火效应: 《Journal of Semiconductors》2007年第8期1226-1231,共6页杨鸿斌樊永良张翔九; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60376012)~~; 报道了在Si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中,采用分子束外延技术共度生长的Si0.8Ge0.2薄膜的应变及其退火特性.实验表明,微区生长材料的这些特性,与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相比,有明显的不同.微米尺寸窗口中生长的SiGe/Si...; 关键词：SIGE 应变位错分子束外延

分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究: 《物理实验》2003年第2期43-47,共5页林俊陈岳瑞胡际璜张翔九; Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现 ,不同尺寸的掩膜窗内生长的 Si Ge外延层中的位错密度在整个外延层中从 Si Ge/Si界面到 Si Ge外延层表面由少到多 ,再由多到少明显地分成 3个区 .无掩膜窗限制的大面积区内的 Si Ge层则...; 关键词：分子束外延生长 SIGE合金应变弛豫边界效应位错密度掩膜应力衬底晶格薄膜分析

Evolution of Self-Organized Ge Quantum Dots During Ultra High Vacuum Annealing: 《Journal of Semiconductors》2002年第6期561-564,共4页胡冬枝杨建树蔡群张翔九胡际璜蒋最敏; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :1983 40 5 0 ); The evolution of self organized Ge quantum dots structure is investigated by scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy during annealing treatment up to 700℃ in an ultra high vacuum(UHV) system.When t...; 关键词：quantum dots Si based materials evolution of morphology atomic force microscopy

Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2002年第6期604-608,共5页胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏; 研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底成岛生长...; 关键词：外延生长量子点固相外延锗硅斜切衬底

硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2000年第8期765-769,共5页周星飞施斌蒋伟荣胡冬枝樊永良龚大卫张翔九蒋最敏; 国家自然科学基金资助项目!( 697760 1 0 ) ;教育部优秀年轻教师基金资助;八六三计划新材料领域资助; 研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原...; 关键词：量子点生长硅衬底硼原子锗

Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2000年第7期662-666,共5页蒋伟荣周星飞施斌胡冬枝刘晓晗蒋最敏张翔九; 国家自然科学基金!( 6 9776 0 10 )项目;86 3计划新材料领域资助项目; 利用喇曼光谱研究了不同温度下在 Si(1 0 0 )衬底上异质外延 Ge层由于扩散引起的 Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂 Sb对其的影响 .结果表明表面活化剂 Sb的存在大大抑制了界面的互扩散 ,在 650℃下也没有观察到明显的界面互混 .没有...; 关键词：互扩散分子束外廷硅锗喇曼光谱

Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究被引量：2: 《Journal of Semiconductors》1999年第7期554-558,共5页裴成文秦捷刘晓晗胡冬枝张翔九黄大鸣蒋最敏; 国家自然科学基金; 利用表面活化剂Ｓｂ在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ｇｅ膜，同步辐射Ｘ射线衍射测量表明Ｇｅ膜为部分应变膜，其应变随厚度增大而减小．相应的喇曼光谱中的Ｇｅ－Ｇｅ振动峰位随应变不同而变化，与应变的关系和文献...; 关键词：硅外延生长锗实验

硅基波导与GeSi/Si超晶格探测器之间光电集成器件的研制被引量：2: 《光学学报》1998年第4期471-473,共3页李娜许雪林李国正刘恩科蒋最敏张翔九王迅; 国家自然科学基金; 用分子束外延法将ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格结构生长在ｎ＋／ｎＳｉ材料上，先后用反应离子刻蚀法形成探测器波导和硅脊波导，经适当工艺实现硅波导与ＰＩＮ探测器之间的光电集成，５Ｖ偏压下ＰＩＮ探测器的最小暗电流为０．８μＡ，最大光...; 关键词：波导光电探测器超晶格硅基光电集成器件

高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器: 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第2期175-180,共6页毛明春张翔九胡际璜蒋最敏朱海军孙燕青王迅盛伯苓; 国家"八六三"高技术计划资助项目(批准号:863-715-001-0153); 利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与温度的关...; 关键词：异质结内光电子发射红外探测器硅半导体

Si中Ge量子点的光致发光被引量：2: 《Journal of Semiconductors》1997年第12期939-941,共3页胡冬枝朱海军蒋最敏黄大鸣张翔九王迅; 国家自然科学基金; 生长温度500℃下，在Si（001）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点．700℃退火20分钟后观察到其光致发光．原子力显微镜（AFM）和横截面试样透镜（XTEM）方法用于观察鼻子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之...; 关键词：硅锗量子点光致发光

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