高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器  

作　　者：毛明春[1] 张翔九[1] 胡际璜[1] 蒋最敏[1] 朱海军[1] 孙燕青 王迅[1] 盛伯苓[2] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 [2]上海无线电七厂,上海200081

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第2期175-180,共6页

基　　金：国家"八六三"高技术计划资助项目(批准号:863-715-001-0153)

摘　　要：利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与温度的关系,探测器的光谱响应等都作了较为详细的讨论。

关 键 词：异质结 内光电子发射 红外探测器 硅 半导体 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]