盛伯苓

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高性能Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电子发射红外探测器
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第2期175-180,共6页毛明春 张翔九 胡际璜 蒋最敏 朱海军 孙燕青 王迅 盛伯苓 
国家"八六三"高技术计划资助项目(批准号:863-715-001-0153)
利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测率在77K时达到1.2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。文中对SiGe/Si异质结的电流电压特性,反向饱和电流与温度的关...
关键词：异质结 内光电子发射 红外探测器 硅 半导体 
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