Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究  

作　　者：裴成文[1] 秦捷[1] 刘晓晗[1] 胡冬枝[1] 张翔九[1] 黄大鸣[1] 蒋最敏[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第7期554-558,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：利用表面活化剂Ｓｂ在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ｇｅ膜，同步辐射Ｘ射线衍射测量表明Ｇｅ膜为部分应变膜，其应变随厚度增大而减小．相应的喇曼光谱中的Ｇｅ－Ｇｅ振动峰位随应变不同而变化，与应变的关系和文献上认为的线性关系在较大应变处有很大的偏离，本文对此进行了分析和讨论．

关 键 词：硅 外延生长 锗 实验 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学] TN304.11