硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响  

Influence of Boron Atom on Growth of Ge Quantum Dots on Si(100)

作　　者：周星飞[1] 施斌[1] 蒋伟荣 胡冬枝[1] 樊永良[1] 龚大卫[1] 张翔九[1] 蒋最敏[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第8期765-769,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目!( 697760 1 0 ) ;教育部优秀年轻教师基金资助;八六三计划新材料领域资助

摘　　要：研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原子层时 ,获得了底部直径为 60± 5nm,面密度为 6× 1 0 9cm- 2 ,且均匀性很好的 Ge量子点 .另外 ,还简单讨论了硼原子对 Ge量子点自组织生长影响的机制 .The influence of boron atoms on the growth of self\|organized Ge quantum dots(QDs) on Si(100) substrate has been studied by atomic force microscopy(AFM). The amount of boron atoms varies from 0 monolayer(ML) to 0.3ML. It is shown boron atoms exert a great influence on the size, the uniformity and the density of Ge QDs.When the amount of boron atoms is 0.2 ML, uniform Ge QDs are achieved with the average base diameter 60nm and area\|density 6×10 9 cm -2 . In addition, the mechanism is also discussed about the boron atoms on the growth of Ge QDs.

关 键 词：量子点 生长 硅衬底 硼原子 锗 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]