杨映虎

作品数：23被引量：97H指数：6
导出分析报告
供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题：ZNO薄膜光致发光光致发光谱室温金刚石薄膜更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《兰州大学学报（自然科学版）》《发光学报》《物理学报》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金中国科学院西部之光基金国家杰出青年科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性被引量：10
《中国科学（G辑）》2007年第2期218-222,共5页朋兴平 王志光 宋银 季涛 臧航 杨映虎 金运范 
国家杰出青年基金(批准号:10125522);国家自然科学基金(批准号:10475102);西部之光联合学者项目基金资助项目
用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400...
关键词：ZNO薄膜 X射线衍射谱 光致发光谱 衬底温度 射频反应溅射 
蓝光ZnO薄膜的特性研究被引量：3
《发光学报》2005年第4期531-534,i0002,共5页朋兴平 杨扬 耿伟刚 杨映虎 王印月 
国家自然科学基金资助项目(50272027)
采用反应溅射法在n型硅(100)衬底上制备了ZnO薄膜,分别用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征。X射线衍射结果表明,实验中制备出了应变小的c轴择优取向的ZnO薄膜;原子力显微镜观...
关键词：ZNO薄膜 硅衬底 光致发光 射频反应溅射 
In掺杂对ZnO薄膜结构及光学特性的影响被引量：4
《Journal of Semiconductors》2005年第4期711-715,共5页朋兴平 王印月 方泽波 杨映虎 
甘肃省自然科学基金资助项目(批准号:ZS011A25050C)~~
通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜.在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱,观察到波长位于415nm(3.02eV)和430nm(2.88eV)附近的蓝紫发光双峰.研究了不同In掺杂量对ZnO薄膜的结构和发光特性...
关键词：ZNO薄膜 In掺杂 光致发光谱 射频反应溅射 
In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究被引量：1
《兰州大学学报（自然科学版）》2005年第1期82-85,共4页朋兴平 杨映虎 季涛 方泽波 王印月 
甘肃省自然科学基金资助项目(ZS011-A25-050-C)
通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和...
关键词：ZNO薄膜 In掺杂 射频反应共溅射 结构 
用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜被引量：4
《发光学报》2004年第6期701-704,共4页朋兴平 谭永胜 方泽波 杨映虎 王印月 
甘肃省自然科学基金资助项目(ZS011 A25 050 C)
以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分...
关键词：氧化锌薄膜 In掺杂 光致发光谱 射频反应共溅射 
In掺杂ZnO薄膜的制备及其特性研究被引量：23
《光学学报》2004年第11期1459-1462,共4页朋兴平 杨映虎 宋长安 王印月 
甘肃省自然科学基金 (ZS0 11 A2 5 0 5 0 C)资助课题
采用射频反应溅射技术在硅 (10 0 )衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜。掠角X射线衍射测试表明 ,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计分别对两样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征 ...
关键词：ZNO薄膜 双峰 掺杂 晶格失配 样品 光致发光谱 光致发光特性 衬底 反应溅射 发光机理 
离子注入和固相外延制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y半导体薄膜
《物理学报》2002年第10期2340-2343,共4页刘雪芹 王印月 甄聪棉 张静 杨映虎 郭永平 
国家自然科学基金 (批准号 :698760 17)资助课题~~
用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RBS) ,傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和高分辨率x射线衍射 (HRXRD)...
关键词：半导体薄膜 Si1-x-yGexCy薄膜 离子注入 固相外延 制备工艺 PECVD 硅锗碳三元合金薄膜 
RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜被引量：1
《兰州大学学报（自然科学版）》2002年第2期48-51,共4页龚恒翔 王印月 方泽波 徐大印 杨映虎 
甘肃省自然科学基金资助项目 (ZS0 11- A2 5 - 0 5 0 - C)
采用 RF反应溅射法在普通玻璃衬底上制备了具有良好 c轴取向性的透明多晶 Zn O薄膜 .由 X射线衍射技术 (XRD)分析了样品结构与沉积条件的关系 .溅射气体中 O2 分压比 R(PO2 /PAr)和衬底温度 Ts 对 Zn O薄膜的结构有显著和相似的影响 ,...
关键词：RF反应溅射法 制备 取向生长 透明多晶ZnO薄膜 透过率 折射率 半导体薄膜 
Au/Ti/p型金刚石膜欧姆接触特性研究
《半导体光电》2000年第5期328-331,共4页王印月 甄聪棉 刘雪芹 闫志军 龚恒翔 杨映虎 何山虎 
国家自然科学基金资助项目
在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了该接触的能带模型。样品接触电阻率 ρc 最低值达 1.2 3 6× 1...
关键词：欧姆接触 金刚石薄膜 接触电阻率 溅射沉积 
沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响被引量：1
《功能材料与器件学报》2000年第4期428-431,共4页龚恒翔 阎志军 杨映虎 王印月 
国家自然科学基金!资助项目 (No .698760 17)
采用RF反应溅射法在Si(1 1 1 )、玻璃衬底上制备了具有良好C轴取向的多晶ZnO薄膜。用XRD分析了沉积条件 (衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类 )对样品结构的影响。发现 (1 )薄膜的取向性随着衬底温度的升高而增强 ,超过40 0...
关键词：ZNO薄膜 RF反应溅射 沉积条件 择优取向 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部