射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性  

作　　者：朋兴平[1] 王志光[1] 宋银[1] 季涛[2] 臧航[1] 杨映虎[2] 金运范[1] 

机构地区：[1]中国科学院近代物理研究所,兰州730000 [2]兰州大学物理科学与技术学院,兰州730000

出　　处：《中国科学（G辑）》2007年第2期218-222,共5页

基　　金：国家杰出青年基金(批准号:10125522);国家自然科学基金(批准号:10475102);西部之光联合学者项目基金资助项目

摘　　要：用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.

关 键 词：ZNO薄膜 X射线衍射谱 光致发光谱 衬底温度 射频反应溅射 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] O484.4[理学—物理]