郭永平

作品数：11被引量：49H指数：5
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供职机构：兰州大学物理系更多>>
发文主题：室温二氧化硅光致发光纳米立方氮化硼薄膜更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《物理》《Journal of Semiconductors》《光学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
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离子注入和固相外延制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y半导体薄膜
《物理学报》2002年第10期2340-2343,共4页刘雪芹 王印月 甄聪棉 张静 杨映虎 郭永平 
国家自然科学基金 (批准号 :698760 17)资助课题~~
用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RBS) ,傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和高分辨率x射线衍射 (HRXRD)...
关键词：半导体薄膜 Si1-x-yGexCy薄膜 离子注入 固相外延 制备工艺 PECVD 硅锗碳三元合金薄膜 
掺碳SiO_2薄膜的室温可见光致发光研究被引量：8
《Journal of Semiconductors》1999年第2期157-161,共5页王印月 薛华 郭永平 甘润今 孙燕杰 张亚菲 杨映虎 陈光华 
国家自然科学基金;甘肃省自然科学基金
用射频共溅射技术和后退火工艺制备出了埋入ＳｉＯ２中的碳复合膜，在室温下测到了强的可见光致发光谱（峰位在２．２２ｅＶ）．研究了衬底温度、退火温度、薄膜厚度对发光谱的影响．通过喇曼散射谱、红外透射谱和Ｘ光衍射谱的测量，对...
关键词：二氧化硅 可见光致发光 掺杂 半导体纳米材料 
用拉曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸被引量：8
《光学学报》1998年第9期1265-1268,共4页王印月 郑树凯 杨映虎 郭永平 奇莉 甘润今 
国家和甘肃省自然科学基金
用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入ＳｉＯ２基底中的纳米Ｇｅ复合膜（ｎｃ－Ｇｅ／ＳｉＯ２）。测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱，其结果与晶体Ｇｅ的拉曼谱相比，纳米Ｇｅ的拉曼峰位红移峰形变宽；用拉曼谱的参数...
关键词：拉曼散射光谱 纳米锗 晶粒尺寸 声子限域理论 
埋入SiO_2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光被引量：4
《科学通报》1997年第15期1618-1622,共5页王印月 杨映虎 郭永平 王吉政 陈光华 甘润今 
1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型能解释全部实验结果...
关键词：二氧化硅 薄膜 硅 光致发光 喇曼散射 
高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响被引量：5
《无机材料学报》1997年第3期351-355,共5页王印月 王辉耀 王吉政 郭永平 陈光华 
甘肃省自然科学基金!ZR-93-0179
通过红外透射谱、拉曼散射谱和X射线衍射谱的测量，研究了反应溅射制备的氢化非晶硅碳膜（SP-a-SiC：H）高温退人处理后的结构变化。发现在等时退火的情况下，退火温度对薄膜结构影响明显，H原子的逸出温度与键合有关，H从CHn中逸出要比...
关键词：高温退火 溅射 薄膜 碳化硅 氢化 半导体薄膜 
埋入SiO_2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光被引量：11
《物理学报》1997年第1期203-208,共6页王印月 杨映虎 郭永平 甘润今 何源 薛华 陈光华 
国家自然科学基金;甘肃省自然科学基金
用射频共溅射技术和真空退火方法，制备出埋入ＳｉＯ２基质中纳米Ｇｅ的复合膜（ｎｃＧｅ／ＳｉＯ２），通过喇曼散射、Ｘ射线衍射、室温光致发光（ＰＬ）、紫外可见光近红外吸收及电导温度关系等测量手段，较系统地研究了该复...
关键词：薄膜 纳米锗 二氧化硅 光致发光 
埋入SiO_2膜中的微晶Ge的室温可见光致发光
《兰州大学学报（自然科学版）》1996年第3期155-156,共2页王印月 杨映虎 郭永平 陈光华 甘润今 
国家自然科学基金
埋入ＳｉＯ２膜中的微晶Ｇｅ的室温可见光致发光①王印月杨映虎郭永平②陈光华（兰州大学物理系，兰州７３００００）甘润今（北京机械工业学院基础部，北京１０００８５）可见发光器件在大屏幕显示和光电子学中是十分重要的，这些发...
关键词：二氧化硅膜 锗 微晶 光致发光 室温 光电材料 
薄膜物理乃其应用讲座第四讲立方氮化硼薄膜的研究现状及其应用前景被引量：11
《物理》1995年第5期307-312,319,共7页宋志忠 郭永平 张仿清 陈光华 
国家自然科学基金
立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）具有一系列优异的物理化学性质，如高的硬度，宽的带隙，高的电阻率，高的热导率，高的热稳定性、化学稳定性，在力学、光学和电子学等方面有广泛的应用前景。从立方氮化硼薄膜的性质，制备方法，目前研究工作的...
关键词：立方氮化硼 薄膜 
立方氮化硼薄膜的织构生长被引量：3
《科学通报》1995年第6期499-501,共3页陈光华 郭永平 张仿清 宋志忠 
国家自然科学基金
立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而...
关键词：立方氮化硼 薄膜 织构生长 氮化硼 
a－Si：H／a－SiC＿x：H超晶格的界面特性
《物理学报》1994年第11期1847-1853,共7页陈光华 郭永平 姚江宏 宋志忠 张仿清 
报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定...
关键词：氢化非晶硅 超晶格 蓝移现象 界面特性 
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