埋入SiO_2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光  

作　　者：王印月[1] 杨映虎[1] 郭永平[1] 王吉政 陈光华[1] 甘润今 

机构地区：[1]兰州大学物理系,兰州730000 [2]北京机械工业学院基础部,北京100085

出　　处：《科学通报》1997年第15期1618-1622,共5页Chinese Science Bulletin

摘　　要：1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型能解释全部实验结果,但是可以肯定的是,从扫描隧道电镜观察到多孔Si是具有2～5nm尺寸的纳米微粒,这种低维的纳米微粒是获得可见光发射的主要原因.目前多孔Si多用湿法制备,性能不稳定,电接触方面存在困难,严重限制了它的应用.因此,探索制备有纳米结构的Si及Si基合金以获得强的可见光发射,具有极重要的意义.

关 键 词：二氧化硅 薄膜 硅 光致发光 喇曼散射 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理]