孙燕杰

作品数:2被引量:14H指数:2
导出分析报告
供职机构:兰州大学物理系更多>>
发文主题:掺杂半导体纳米材料二氧化硅光致发光研究室温更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>
所获基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-2
视图:
排序:
CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率被引量:6
《半导体光电》1999年第4期241-244,共4页孙燕杰 何山虎 甄聪棉 龚恒翔 杨映虎 王印月 
国家自然科学基金
系统地介绍了用圆形传输线模型( C T L M) 测量金属/ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Al/ Si 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ C 的影响。测量得到 Al/ Si 欧姆接触电阻率的...
关键词:圆形传输线模型 金属/半导体接触 接触电阻率 
掺碳SiO_2薄膜的室温可见光致发光研究被引量:8
《Journal of Semiconductors》1999年第2期157-161,共5页王印月 薛华 郭永平 甘润今 孙燕杰 张亚菲 杨映虎 陈光华 
国家自然科学基金;甘肃省自然科学基金
用射频共溅射技术和后退火工艺制备出了埋入SiO2中的碳复合膜,在室温下测到了强的可见光致发光谱(峰位在2.22eV).研究了衬底温度、退火温度、薄膜厚度对发光谱的影响.通过喇曼散射谱、红外透射谱和X光衍射谱的测量,对...
关键词:二氧化硅 可见光致发光 掺杂 半导体纳米材料 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部