CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率  

Measurement of specific contact resistance of metal/semiconductor using CTLM

作　　者：孙燕杰[1] 何山虎[1] 甄聪棉[1] 龚恒翔[1] 杨映虎[1] 王印月[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理系,兰州730000

出　　处：《半导体光电》1999年第4期241-244,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的最小值约为２ ．４ ×１０ － ５ Ω·ｃｍ ２ 。The method using circular transmission line model (CTLM) to measure the specific contact resistance ( ρ C) between metals and semiconductors is presented in this paper. The specific contact resistance of various samples with different doping concentration has been measured before and after annealing. The lowest ρ C reaches 2.4×10 -5 Ω·cm 2.

关 键 词：圆形传输线模型 金属/半导体接触 接触电阻率 

分 类 号：TN304.07[电子电信—物理电子学]