宋志忠

作品数:7被引量:13H指数:1
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供职机构:兰州大学核科学与技术学院更多>>
发文主题:立方氮化硼薄膜立方氮化硼A-SI:HH氮化硼更多>>
发文领域:理学电子电信更多>>
发文期刊:《物理学报》《物理》《无机材料学报》《兰州大学学报(自然科学版)》更多>>
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硼对a-Si: H薄膜中氢含量的影响
《兰州大学学报(自然科学版)》1997年第3期45-48,共4页徐进章 宋志忠 
应用核反应分析法(NRA)测量了反应溅射法制备的a-SiH(B)薄膜中B和H的含量.结果表明:当掺杂比率Yg(=[B2H2]/([Ar]+[H2]))由10-6增大到1.4×10-2时,样品中的硼含量cB由1.0×1...
关键词:薄膜  掺杂 氢含量  半导体 
薄膜物理乃其应用讲座第四讲立方氮化硼薄膜的研究现状及其应用前景被引量:11
《物理》1995年第5期307-312,319,共7页宋志忠 郭永平 张仿清 陈光华 
国家自然科学基金
立方氮化硼(c-BN)具有一系列优异的物理化学性质,如高的硬度,宽的带隙,高的电阻率,高的热导率,高的热稳定性、化学稳定性,在力学、光学和电子学等方面有广泛的应用前景。从立方氮化硼薄膜的性质,制备方法,目前研究工作的...
关键词:立方氮化硼 薄膜 
a-Si:H和a-SiC:H薄膜掺杂效率的研究
《兰州大学学报(自然科学版)》1995年第1期31-34,共4页宋志忠 徐进章 张仿清 陈光华 
本文通过测量掺杂a-Si:H和a-Sic:H薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明,(1)杂质激活过程是伸展指数形式,(2)在低温区掺杂效率正比于,(3)在高温...
关键词:非晶态半导体 薄膜 掺杂效率 
立方氮化硼薄膜的织构生长被引量:3
《科学通报》1995年第6期499-501,共3页陈光华 郭永平 张仿清 宋志忠 
国家自然科学基金
立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而...
关键词:立方氮化硼 薄膜 织构生长 氮化硼 
a-Si:H/a-SiC_x:H超晶格的界面特性
《物理学报》1994年第11期1847-1853,共7页陈光华 郭永平 姚江宏 宋志忠 张仿清 
报道等离子体化学汽相沉积法制备的a-Si:H/a-SiC:H超晶格的蓝移现象,用小角度X射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现,超晶格界面附近存在较高浓度的H和较多的Si-C键,界面H的热稳定...
关键词:氢化非晶硅 超晶格 蓝移现象 界面特性 
a-SiGe_x 合金光学常数的研究
《无机材料学报》1993年第1期99-104,共6页张仿清 郭永平 宋志忠 陈光华 
本文通过拚射及透射谱测量,利用关系式(1-R)/T 和(1+R)T 代替参量 R 和 T 的办法,计算a-SiGe_x∶H 合金的光学常数(折射率 n,消光系数 K).我们利用所取得的实验数据,得到了不同 Ge 含量对 a-SiGe_x∶H 合金光学常数的影响,讨论了 Ge 原...
关键词:光学常数 薄膜 硅锗合金 
B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散
《物理学报》1990年第12期1982-1988,共7页张仿清 贺德衍 宋志忠 柯宁 陈光华 
国家自然科学基金资助的课题
本文用~11B(p,a)~8Be(E_r=163keV)核反应分析方法,研究不同生长温度和退火温度对a-SiC:H(B)/a-Si:H异质结构中B原子浓度剖面分布的影响,由B原子浓度剖面分布的变化,分别估算了B在a-Si:H生长和退火过程中的扩散系数,结合电导率随膜厚度...
关键词:B a-SiC:H 掺杂 异质结 扩散 
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