立方氮化硼薄膜的织构生长  

作　　者：陈光华[1] 郭永平[1] 张仿清[1] 宋志忠[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理系,兰州730000

出　　处：《科学通报》1995年第6期499-501,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而金刚石的n型掺杂国际上至今尚未实现),与Si,GaAs更接近的热膨胀系数.因此,C-BN在力学、光学、热学、电子学等方面有着极其广泛的应用前景.其中最为诱人的前景是在电子学方面,首先作为一种易于p型,n型掺杂的宽带隙半导体材料,它可以应用于高温、高频、大功率。

关 键 词：立方氮化硼 薄膜 织构生长 氮化硼 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]