非晶态半导体

作品数：39被引量：24H指数：2
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：陈大鹏殷华湘林鸿溢陈光华齐吉泰更多>>
相关机构：中国科学院夏普株式会社中国科学院微电子研究所北京理工大学更多>>
相关期刊：《兰州大学学报（自然科学版）》《材料研究学报》《电子显微学报》《中国科技信息》更多>>
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注重实验创新与理论探索开展非晶态金属材料研究——清华大学材料学院陈娜副研究员
《科技成果管理与研究》2024年第9期1-3,F0004,共4页栾天 
自氧化物玻璃问世以来,非晶固体材料就广泛存在于日常生活中,成为人类文明和社会发展的重要材料基石.尽管非晶固体种类丰富,但这些材料无论是非晶态金属还是非晶态半导体亦或是非晶态绝缘体,都很难建立类似于晶体材料那样明确的结构与...
关键词：非晶态金属 非晶态半导体 氧化物玻璃 晶体材料 绝缘体 结构与性能关系 理论探索 有效调控 
Cd组分x对非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜暗电导的影响
《红外技术》2017年第1期32-35,共4页余连杰 史衍丽 苏玉辉 李雄军 
利用射频溅射方法制备了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜(x=0,0.22,0.50,0.66,1),在80 K^300 K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响。当温度T>210 K时,随着Cd组分增加,暗电导减小;当温度T<210 K,随着Cd组分增加,则暗电导增大;当温度T=210 ...
关键词：非晶态半导体 非晶态碲镉汞 暗电导 导电机制 
非晶态半导体
《国外科技新书评介》2016年第7期2-3,共2页宁圃奇 
非晶态半导体是具有半导体性质的非晶态材料，是半导体的一个重要部分。非晶态半导体在多种应用领域中都存在着巨大的潜力，其中，非晶硫早已广泛应用在复印技术中，由As—Te—Ge—Si系玻璃半导体制作的可改写存储器已有商品问世，利用...
关键词：非晶态半导体 光存储器 非晶态材料 半导体性质 玻璃半导体 复印技术 微晶薄膜 可改写 
磁控溅射制备非晶铟镓锌氧化物薄膜的电学性能研究
《材料研究学报》2015年第1期51-54,共4页曹明杰 赵明 庄大明 郭力 欧阳良琦 李晓龙 宋军 
采用中频交流磁控溅射法制备非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜,用XRD、XRF、Hall测试等手段进行表征,研究了溅射电流、氧气流量等工艺参数对其电学性能的影响。结果表明,制备出的IGZO薄膜均为非晶结构,成分与靶材基本一致,电学性能对溅射电...
关键词：无机非金属材料 IGZO薄膜 非晶态半导体 磁控溅射 迁移率 
非晶态硫半导体及相关材料
《国外科技新书评介》2012年第6期21-21,共1页吴永礼 
近年来，非晶固体的光子、电子和光电应用迅速增长。非晶或玻璃态硫是一种非晶态的热力学亚稳态固体。这种材料具有与结晶固体完全不同的性能，本书详细介绍非晶态硫半导体及相关材料，讨论了它们的技术应用，如非线性光学纤维、DVD和...
关键词：非晶态半导体 材料性能 硫系玻璃 非晶固体 光电应用 图像探测器 玻璃半导体 光学纤维 
非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究被引量：2
《光子学报》2008年第5期1001-1005,共5页邹林儿 陈抱雪 杜丽萍 袁一方 浜中广见 矶守 
国家自然科学基金(60677032);江西省自然科学基金(2007JZW2048);江西省教育厅科技计划项目(GJJ08065)资助
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度...
关键词：非晶态半导体 As2S8半导体薄膜 光折变效应 光致体积变化 
非晶态半导体的阈值开关机理
《现代电子技术》2008年第4期184-185,共2页齐吉泰 刘丽敏 
从理论上定性地分析了非晶态半导体的阈值开关机理。利用非均匀模型、热与热电理论和电子开关模型等,从3个方面描述非晶态半导体的阈值开关形成的原因,给出非晶态半导体的阈值开关的"开态"和"关态"时的形成过程,对不同状态下载流子的运...
关键词：非晶态 阈值开关 电导率 半导体 
非晶态半导体的光吸收
《绥化学院学报》2006年第6期171-172,共2页齐吉泰 侯冰心 
黑龙江省自然科学基金项目;项目编号:A04-12
光与非晶态半导体作用所产生的光吸收包括本征吸收、激子吸收、自由载流子吸收、声子吸收及杂质吸收等,由于吸收方式不同,它们分别发生在不同的光谱波段。
关键词：非晶态半导体 光吸收 激子 本征 自由载流子 
非晶态半导体的电学特性分析被引量：1
《绥化师专学报》2004年第2期141-142,共2页齐吉泰 于长兴 
对非晶态半导体的禁带中缺陷定域态 ,导带 (或价带 )扩展态 ,导带 (或价带 )带尾部定域态中的载流子导电的规律性进行了定性和定量的分析 ,给出了电导率和温度的关系。
关键词：非晶态半导体 电学特性 电导率 温度 缺陷定域态 导带扩展态 
一维无序体系的交流跳跃导电被引量：4
《物理学报》2002年第8期1798-1803,共6页徐慧 宋袆璞 
建立了electron phonon field(EPF)电子隧穿电导模型 ,推导了一维无序体系新的交流电导公式 .通过计算具有2 0 0 0 0— 6 5 0 0 0个格点的无序体系的交流电导率 ,分析了交流电导率与温度及外场频率的关系 ,讨论了无序度对交流电导的影...
关键词：一维无序体系 电子隧穿 跳跃电导 交流电导率 非晶态半导体 有机聚合物 
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