半导体性质

作品数：86被引量：202H指数：8
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可见光和银离子对p型和n型黄铜矿生物浸出的影响机理
《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》2024年第2期655-668,共14页赵春晓 王军 刘洋 廖蕤 杨宝军 邱冠周 
the National Key Research and Development Program of China(No.2022YFC2105300);the National Natural Science Foundation of China(Nos.52274288,51934009,52204303).
研究可见光和银离子(Ag^(+))对嗜酸氧化亚铁硫杆菌浸出p型和n型黄铜矿(黄铜矿A和黄铜矿B)的不同影响及机理。通过霍尔效应试验、生物浸出试验、X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对黄铜矿的半导体性质、生物浸出行为、表面形...
关键词：嗜酸氧化亚铁硫杆菌 霍尔效应 半导体性质 光照 黄铜矿 生物浸出 
基于3,6-二氯噻吩并[3,2-b]噻吩的共轭聚合物的直接芳基化缩聚合成及其半导体性质
《高分子学报》2024年第1期36-47,共12页林琳琳 张栩文 石毅博 邓云峰 耿延候 
国家自然科学基金(基金号51933008,22222506,52121002)资助项目。
以β位氯代的噻吩衍生物3,6-二氯噻吩并[3,2-b]噻吩(2ClTT)为C-H单体、溴代噻吩取代吡咯并吡咯二酮(DPPC14-Br)或溴代异靛蓝(IIDC14-Br)为C-Br单体,采用直接芳基化缩聚(DArP)合成了共轭聚合物DPP-2ClTT和IID-2ClTT.氯原子的引入可大幅...
关键词：共轭聚合物 直接芳基化缩聚 噻吩衍生物 载流子迁移率 有机薄膜晶体管 
基于文献计量的印刷电子研究进展
《新材料产业》2021年第6期58-62,共5页曾敬 
广东省科学院院属骨干科研机构创新能力建设专项“广东科技信息资源与技术情报服务平台建设”(项目编号:2018GDASCX-0118)支持。
1引言印刷电子学,是利用传统印刷技术制造电子器件与系统的科学与技术[1]。印刷电子学起源于有机电子学。有机电子学之所以获得材料学界广泛关注,其原因之一就是有机聚合物材料有可能制备成溶液,并通过印刷实现大批量、低成本的制造[2]...
关键词：有机聚合物 半导体性质 文献计量 柔性电子 印刷电子学 传统印刷 印刷工艺 有机电子学 
铁基材料钝化膜的电化学半导体性质和测试方法研究进展
《材料保护》2021年第8期139-149,共11页檀玉 张浩 孙晨皓 焦洋 张胜寒 梁可心 
北京市自然科学基金(2192051)资助。
铁基材料因具有较高的力学强度、较好的环境相容性和较低廉的价格等综合性能在日常生活、生产中广泛应用。而铁基材料在多元环境中的长期服役性能取决于其耐受环境侵蚀的能力—耐腐蚀性,这一能力与其表面性质高度相关。为了提高铁基材...
关键词：铁基材料 钝化膜 半导体 电化学响应 电子能带 
3,2′:6′,3″-三联吡啶银配合物的晶体结构及其半导体性质
《武汉大学学报（理学版）》2021年第4期386-392,共7页肖陆飞 孟飞 周玲玲 汪蓓蓓 梁建军 王慧 
安徽省自然科学基金(1908085QB50);安徽高校自然科学重大项目(KJ2017ZD49)。
以4′-二茂铁基-3,2′:6′,3″-三联吡啶为配体,和AgPF_(6)合成了一种新型银配合物Ag_(2)L_(2)(PF_(6))_(2),配合物经红外光谱、元素分析和单晶X射线衍射进行表征。晶体结构分析表明,配合物为三斜晶系,Pī空间群,配体采用顺式-顺式结合...
关键词：三联吡啶 配合物 晶体结构 漫反射光谱 带隙 
纯铁的腐蚀产物对纯铁腐蚀行为的影响及其机理研究被引量：5
《材料保护》2021年第7期30-36,共7页张心宇 王立达 孙文 贺永鹏 舒向泉 刘贵昌 
国家自然科学基金(21978036,51671047)资助。
为探究纯铁腐蚀产物对其腐蚀行为的影响机理,采用扫描振动电极技术(SVET)考察了Fe_(3)O_(4)、β-FeOOH和γ-FeOOH对纯铁腐蚀行为的影响,并从腐蚀产物的半导体性质入手,采用扫描开尔文探针(SKP),Mott-Schottky曲线以及氧还原反应极化曲线...
关键词：铁 腐蚀产物 半导体性质 腐蚀机理 腐蚀促进作用 功函数 氧还原反应活性 
AlnPn (n = 2~9)团簇结构与性质的理论研究
《现代物理》2021年第3期41-51,共11页彭从一 马磊 马丽 和一鸣 王文杰 
团簇的结构和稳定性具有明显的尺寸效应,研究其性质有助于人们对物质有更深入的认识。通过结构搜索结合密度泛函方法,我们系统地研究了AlnPn (n = 2~9)团簇的结构、稳定性和电子性质。随着尺寸的增大,AlP团簇逐渐接近笼状结构,AlP团簇...
关键词：半导体性质 密度泛函方法 笼状结构 团簇结构 电荷转移 结构搜索 
周树云:踏上二维材料的“新大陆”
《现代青年》2020年第4期48-49,共2页刘禛 
周树云所在的凝聚态物理领域,无论国内还是国外都存在悬殊的男女比例现象。不过,女性到底适不适合从事科研,从来都不是她考虑的问题——因为"身边有很好的榜样"。从清华物理系学生到成为清华物理系教授,周树云的人生经历简单又梦幻。简...
关键词：二维材料 异质结 能带结构 光电子谱 金属硫族化合物 石墨烯 半导体性质 氮化硼 发射光谱学 
氮化硼半导体中子探测器制备及测试
《中国原子能科学研究院年报》2019年第1期149-150,共2页赵江滨 田华阳 王超 何高魁 
基于硼半导体的固体中子探测器结构紧凑、探测效率高,具有较强的吸引力。氮化硼(BN)晶体是一种宽禁带半导体材料,禁带宽度为6.1~6.4eV,属于间接带隙,通过掺杂可得到P型和N型的半导体材料。氮化硼材料具有立方氮化硼(cBN)、六方氮化硼(h...
关键词：中子探测器 氮化硼 半导体性质 半导体材料 光电子器件 晶体结构 间接带隙 探测效率 
矿物学因素对黄铁矿浮选行为影响的研究进展被引量：6
《有色金属（选矿部分）》2019年第6期12-17,共6页杨升旺 李江丽 李佳磊 刘殿文 
国家自然科学基金（51264019）;国家自然科学基金（50964007）;国家"十二五"科技支撑计划（2012BAB10B09）
黄铁矿是一种广泛存在的硫化金属矿,其浮选问题一直是矿业工程领域的研究热点。浮选实践表明不同成因黄铁矿间可浮性存在差异性,主要由其矿物学因素差异所致。黄铁矿矿物学因素的微小变化会对其浮选行为产生不同程度的影响,如晶格缺陷...
关键词：黄铁矿 晶格缺陷 半导体性质 表面特性 化学组成 
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