金属硅化物

作品数：105被引量：250H指数：8
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ZrC/Mo-Si系金属硅化物纳米复合粉体的直接熔盐电化学合成
《粉末冶金技术》2025年第2期163-169,179,共8页覃世玉 宋伟豪 刘红霞 马文 白玉 
内蒙古自治区直属高校基本科研业务费资助项目(JY20220265);内蒙古自治区高等学校碳达峰碳中和研究专项资助项目(STZX202227);内蒙古自治区自然科学基金资助项目(2023MS05020)。
为实现ZrC/Mo-Si系金属硅化物复合材料的短流程、低能耗、低成本制备,以ZrSiO_(4)、MoO_(3)和C为原料,采用熔盐电化学法一步制备出了ZrC/Mo-Si系金属硅化物纳米复合粉体,并研究了固体阴极制备工艺、碳含量(质量分数)和碳源类型对电化学...
关键词：熔盐电化学 金属硅化物 复合材料 纳米粉体 
Si含量对Fe-Cr-Si合金高温耐磨性能的影响
《材料保护》2024年第3期98-103,129,共7页郝威 龙海洋 贵永亮 宋春燕 马汝成 张学峰 
河北省杰出青年科学基金(E2019209473);河北省高校百名优秀创新人才支持计划(Ⅲ)(SLRC2019030);河北省人才工程培养资助项目(A201905010)。
为研究Si含量对Fe-Cr-Si合金高温耐磨性能的影响,改善Fe-Cr-Si合金在高温环境下的耐磨性能,采用真空电弧熔炼制备了4种不同Si含量(原子分数5%、10%、15%、20%)的Fe-Cr-Si合金,研究了Si含量变化对其高温耐磨性能的影响。结果表明,4种Fe-C...
关键词：Fe-Cr-Si合金 金属硅化物 高温耐磨性能 
Nb-Ti-Al基合金的防护涂层研究及其抗氧化性能机理分析
《山西冶金》2024年第2期18-20,共3页朱建民 王兴浩 
利用真空电子束熔炼与电弧炉技术合成了Nb-Ti-Al基合金,利用料浆熔烧技术在合金表面制备了Si-Cr-W防护涂层,并对1250℃条件下的涂层抗氧化性能进行了评估,同时采用扫描电子显微镜和能量散射光谱研究分析了氧化前后的涂层微观形态和元素...
关键词：料浆熔烧 防护涂层 金属硅化物 高温抗氧化性能 
Si含量对Fe-Cr-Si系合金组织与耐蚀性能的影响被引量：3
《金属热处理》2022年第8期77-82,共6页秦铁玉 宋春燕 马汝成 张学峰 郝威 贵永亮 
河北省杰出青年科学基金(E2019209473);河北省高校百名优秀创新人才支持计划(Ⅲ)(SLRC2019030);河北省人才工程培养项目(A201905010)。
利用电弧熔炼工艺制备了不同Si含量(6wt%、8wt%、10wt%、12wt%)的Fe-Cr-Si系合金,系统研究了Si含量对Fe-Cr-Si系合金组织和耐腐蚀性能的影响。结果表明,4种不同Si含量的Fe-Cr-Si合金均由初生树枝晶和枝晶间基体组成,Si含量的增加促进了...
关键词：Fe-Cr-Si系合金 显微组织 金属硅化物 腐蚀 
金属硅化物抗氧化涂层的研究进展被引量：2
《中国腐蚀与防护学报》2021年第3期298-306,共9页安亮 高昌琦 贾建刚 马勤 
国家自然科学基金(51565024);兰州城市学院博士科研基金(LZCU-BS2018-22)。
针对化工领域,阐述了Si-Fe涂层的制备工艺现状,并对其抗氧化机制及工业化应用发展进行了说明;对于高温防护领域,重点综述了Si-Mo、Si-Zr两种高温防护涂层的研究现状,并介绍了不同元素对涂层抗氧化性能的合金化改善效果及其抗氧化机制。...
关键词：硅化物 抗氧化性能 合金化 复合涂层 
130nm CMOS工艺中应力对MOS器件饱和电流的影响
《半导体技术》2019年第12期938-944,955,共8页陈晓亮 陈天 钱忠健 孙伟锋 
在深亚微米CMOS集成电路制造工艺中,应力对MOS器件性能的影响已经不可忽略。应力可以改变半导体载流子的迁移率,因此影响MOS器件的饱和电流。通过对不同版图布局的MOS器件饱和电流进行分析,研究了130 nm CMOS工艺中浅槽隔离(STI)和金属...
关键词：浅槽隔离(STI) 金属硅化物 饱和电流 应力 版图设计 
90 nm CMOS工艺平台金属硅化物工艺优化及其表征
《集成电路应用》2019年第9期17-19,共3页陆涵蔚 曹俊 吴兵 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)
半导体制程发展到0.18μm节点及以下时,主要采用金属钴硅化物来降低扩散区的电阻和接触孔的接触电阻。当工艺节点缩小到90nm时,由于结深变浅,金属钴硅化物的厚度和均一性对结漏电的影响越来越显著。针对金属钴硅化物形成的多个工艺参数...
关键词：集成电路制造 90nm 钴金属硅化物 工艺优化 
金属硅化物阻挡层刻蚀对一次性编程单元数据保持性能的影响
《集成电路应用》2019年第8期43-45,共3页黄庆丰 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)
在0.18μm通用平台上加入一次性编程单元(OTP)后组成的衍生工艺被广泛应用于微控制单元(MCU)设计,由于OTP的尺寸非常小,为了使OTP拥有良好的数据保持(Data Retention)能力,SAB模组工艺非常关键,尤其是SAB刻蚀工艺,不能再采用同标准0.18...
关键词：集成电路制造 金属硅化物阻挡层SAB 干法刻蚀 湿法刻蚀 OTP 数据保持 
Niss/Ni3Si共晶复合材料制备及摩擦性能研究被引量：2
《粉末冶金工业》2019年第4期59-62,共4页袁亚 韩明刚 陈辉 
山东省自然科学基金项目(BS2015CL007);中国博士后科学基金项目(2015M572026)
采用机械球磨/热压烧结技术制备了Niss/Ni3Si共晶复合材料,并对其微观结构和摩擦磨损性能进行了研究。结果表明:复合材料主要由韧性相Niss和Ni3Si增强相及晶界亚稳相Ni31Si12组成;复合材料具有良好的强韧性配合,其烧结相对密度、硬度、...
关键词：金属硅化物 显微组织 NI3SI 耐磨性 
热型ALD技术制备镍薄膜及其金属硅化物
《微纳电子技术》2019年第6期486-492,共7页乌李瑛 瞿敏妮 沈贇靓 王英 程秀兰 
国家科技部"十三五"高性能计算重点研发计划项目子课题(2016YFB0200205);2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400)
金属硅化物材料具有较低的接触电阻,并且与硅材料有较好的兼容性,所以在互补金属氧化物半导体(CMOS)器件中被看作是重要的电极材料。形成镍金属硅化物的关键是镍金属单质的淀积工艺。如何在大深宽比纳米尺度的三维结构中沉积保形性好、...
关键词：镍(Ni)薄膜 原子层沉积(ALD) 沉积速率 金属硅化物 互补金属氧化物半导体(CMOS) 
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