云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 屈新萍

屈新萍: 作品数：31被引量：46H指数：4; 导出分析报告; 供职机构：复旦大学更多>>; 发文主题：微电子固相反应扩散阻挡层NISI纳米压印技术更多>>; 发文领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>; 发文期刊：《半导体技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《微电子学》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金上海市教育发展基金国家教育部博士点基金更多>>

湿法腐蚀硅片并生长氧化锌纳米棒作为太阳能电池减反层研究: 《无机材料学报》2013年第4期420-424,共5页王韬屈新萍; 新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-0111)~~; 在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金...; 关键词：减反层四甲基氢氧化铵湿法腐蚀各向异性 ZNO纳米棒

Cu互连Mo基新型扩散阻挡层的化学机械抛光被引量：1: 《半导体技术》2012年第11期846-849,共4页王永伟王敬轩屈新萍; 国家科技重大专项(2009ZXO2308-005); 亚16 nm以下的互连技术中需要采用电阻率低、阻挡性能好、与Cu粘附性好并同时具有较好抛光性能的新型扩散阻挡层。利用自制2英寸图形片,对Mo和CoMo新型扩散阻挡层Cu互连结构图形片的抛光性能进行了初步研究。使用扫描电子显微镜、原子...; 关键词：化学机械抛光铜互连扩散阻挡层钴钼合金碟形缺陷

Mg-In-Zn-O肖特基源漏薄膜晶体管的性能研究: 《固体电子学研究与进展》2012年第5期510-515,共6页吴佳宏屈新萍; 通过溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备Mg-In-Zn-O(MIZO)透明氧化物半导体薄膜,并制备了MIZO肖特基源漏薄膜晶体管。实验结果表明,制备的MIZO薄膜呈现非晶态,具有良好的透过率。5%配比的MIZO具有较好的晶体管特性,其他Mg配比的MIZO薄膜晶...; 关键词：溶胶-凝胶法 MIZO薄膜薄膜晶体管

新型纳米压印光刻技术的研究和应用被引量：2: 《世界科学》2009年第6期39-41,共3页屈新萍; 纳米压印（nanoimprint）这个词汇从1995年发明到现在，目前还并未被大多数学者和人们所认识。让我们来解读一下纳米压印。纳米，已经越来越走进我们的生活，随着纳米技术的大量应用，纳米领域向我们敞开了一个神奇、美妙的世界。拜电...; 关键词：纳米压印光刻技术应用大规模集成电路纳米技术双核CPU Intel 电视宣传

Effect of Pt Addition on the Stress of NiSi Film Formed on Si (100): 《Journal of Semiconductors》2007年第5期635-639,共5页黄巍茹国平 Detavernier C Van Meirhaeghe R L 蒋玉龙屈新萍李炳宗; 国家自然科学基金(批准号:60576029,90607018);科技部中国-比利时科技合作项目(批准号:B/06086/01);上海应用材料研究发展基金(批准号:0514);上海市自然科学基金(批准号:05ZR14017)资助项目~~; In order to clarify the effect of pt addition on the stress of NiSi film, in situ stress measurements were taken to evaluate the stress evolution during heating and cooling treatment of Ni1- x Ptx Si alloy films with ...; 关键词：NiSi Ni1- x Ptx Si stress

LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性被引量：3: 《微电子学》2007年第2期168-172,共5页王光伟屈新萍茹国平郑宏兴李炳宗; 国家自然科学基金资助项目(60476010);天津市高校科技发展基金资助项目(20060605); 采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物...; 关键词：锗硅薄膜 LPCVD 热扩散热退火固相结晶

反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结被引量：1: 《复旦学报（自然科学版）》2007年第1期81-84,共4页武慧珍茹国平黄魏蒋玉龙屈新萍李炳宗; 用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布...; 关键词：半导体电学表征微分霍耳超浅结载流子浓度载流子迁移率

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结: 《Journal of Semiconductors》2006年第11期1966-1969,共4页武慧珍茹国平张永刚金成国水野文二蒋玉龙屈新萍李炳宗; 采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻...; 关键词：电化学电容-电压超浅结杂质浓度

Study of NiSi/Si Interface by Cross-Section Transmission Electron Microscopy被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2006年第2期223-228,共6页蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗; 国家自然科学基金(批准号:60576029);上海应用材料研究与发展基金(批准号:0514);上海市自然科学基金(批准号:05ZR14017);中国-比利时佛拉芒大区科技合作计划(批准号:B/06086/01)资助项目~~; Different silicidation processes are employed to form NiSi,and the NiSi/Si interface corresponding to each process is studied by cross-section transmission electron microscopy （XTEM）. With the sputter deposition of ...; 关键词：contact interface NISI nickel silieide solid-state reaction rapid thermal processing

非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用: 《Journal of Semiconductors》2006年第z1期385-388,共4页蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗; 国家自然科学基金(批准号:60576029,90607018),上海应用材料研究与发展基金(批准号:0514),上海市自然科学基金(批准号:05ZR14017)和中国-比利时Flanders大区科技合作计划(批准号:B/06086/01)资助项目; 在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiSi.实验结果表明这种非...; 关键词：硅化物 NISI 非晶化注入固相反应

屈新萍