郑宏兴

作品数：4被引量：13H指数：2
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供职机构：天津工程师范大学更多>>
发文主题：热退火ZNO光电特性光电器件ZNO薄膜更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《微电子学》《液晶与显示》《真空科学与技术学报》《真空》更多>>
所获基金：国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
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金属/半导体肖特基接触模型研究进展被引量：1
《真空科学与技术学报》2011年第2期149-153,共5页王光伟 郑宏兴 徐文慧 杨旭 
国家自然科学基金项目(No.60871026)
在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/半导体间的界面层使得肖特基势垒高度(SBH)对功函数的依赖减弱,也导致SBH与外加偏压有关。研究证实,多种因素,如界面晶向、原子结构、...
关键词：肖特基接触 肖特基势垒高度 理想因子 非单晶界面 势垒高度不均匀性 
ZnO薄膜的制备方法、性质和应用被引量：9
《真空》2008年第5期54-61,共8页王光伟 张建民 郑宏兴 杨斐 
天津市高校科技发展基金项目(No.20060605)。
介绍了宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺、主要性质和器件应用等几方面内容。ZnO薄膜的制备方法大致分为物理法和化学法。前者主要包括溅射、脉冲激光沉积和分子束外延等;后者则涵盖化学气相沉积、喷雾热解和溶胶-凝胶法等。从晶体结构、...
关键词：ZNO薄膜 制备工艺 光电特性 光电器件 
LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性被引量：3
《微电子学》2007年第2期168-172,共5页王光伟 屈新萍 茹国平 郑宏兴 李炳宗 
国家自然科学基金资助项目(60476010);天津市高校科技发展基金资助项目(20060605)
采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物...
关键词：锗硅薄膜 LPCVD 热扩散 热退火 固相结晶 
SiO_2衬底上PECVD-Si_(1-x)Ge_x薄膜研究(英文)
《液晶与显示》2007年第2期109-114,共6页王光伟 郑宏兴 马兴兵 张建民 曹继华 
Sponsored by National Natural Science Foundation of China(No.60671009);Tianjin Committee of education(No.20060605)
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍...
关键词：锗硅薄膜 等离子体增强化学沉积 热退火 晶相成核与生长 
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