徐文慧

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：天津工程师范大学更多>>
发文主题：单晶肖特基接触肖特基更多>>
发文领域：理学更多>>
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金属/半导体肖特基接触模型研究进展被引量：1
《真空科学与技术学报》2011年第2期149-153,共5页王光伟 郑宏兴 徐文慧 杨旭 
国家自然科学基金项目(No.60871026)
在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/半导体间的界面层使得肖特基势垒高度(SBH)对功函数的依赖减弱,也导致SBH与外加偏压有关。研究证实,多种因素,如界面晶向、原子结构、...
关键词：肖特基接触 肖特基势垒高度 理想因子 非单晶界面 势垒高度不均匀性 
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