曹继华

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：天津工程师范大学更多>>
发文主题：半导体材料溅射晶粒生长离子束溅射退火更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《液晶与显示》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目国家自然科学基金更多>>
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SiO_2衬底上PECVD-Si_(1-x)Ge_x薄膜研究(英文)
《液晶与显示》2007年第2期109-114,共6页王光伟 郑宏兴 马兴兵 张建民 曹继华 
Sponsored by National Natural Science Foundation of China(No.60671009);Tianjin Committee of education(No.20060605)
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍...
关键词：锗硅薄膜 等离子体增强化学沉积 热退火 晶相成核与生长 
溅射SiGe薄膜及其等时等温退火效应被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第5期846-851,共6页王光伟 茹国平 张建民 曹继华 李炳宗 
天津市高校科技发展基金资助项目(批准号:JW20051201)~~
分别在n-Si（100）和SiO2衬底上用离子束溅射法淀积SiGe薄膜，用俄歇电子谱测定薄膜Ge含量为15％～16％，对样品进行常规炉退火以考察退火温度和时间对薄膜结晶度的影响，采用X射线衍射确定薄膜物相，发现在同样退火条件下，SiGe在n-Si...
关键词：SiGe薄膜 离子束溅射 炉退火 晶粒生长 半导体材料 
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