非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用  

Amorphization Implant Technology in NiSi SALICIDE Process

作　　者：蒋玉龙[1] 茹国平[1] 屈新萍[1] 李炳宗[1] 

机构地区：[1]复旦大学微电子学系,上海,200433 复旦大学微电子学系,上海,200433 复旦大学微电子学系,上海,200433 复旦大学微电子学系,上海,200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期385-388,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60576029,90607018),上海应用材料研究与发展基金(批准号:0514),上海市自然科学基金(批准号:05ZR14017)和中国-比利时Flanders大区科技合作计划(批准号:B/06086/01)资助项目

摘　　要：在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiSi.实验结果表明这种非晶化未对硅化反应过程中杂质的再分布产生影响,但是剖面透射电镜分析表明,这种非晶化所需能量需要合理优化.

关 键 词：硅化物 NISI 非晶化注入 固相反应 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]