光刻技术

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反演光刻技术的研究进展
《电子与信息学报》2025年第1期22-34,共13页艾飞 苏晓菁 韦亚一 
国家自然科学基金(62204257);中央高校基本科研业务费专项资金(E3E43802);中国科学院青促会项目(2021115)。
反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实...
关键词:先进集成电路技术 反演光刻技术 光学临近效应修正 掩模优化 研究进展 
基于多源异构数据的关键核心技术识别研究--以光刻技术为例
《中国科技论坛》2024年第12期127-136,164,共11页徐宗煌 李小乐 石进 周海玲 
国家社会科学基金项目“面向国家安全的科技态势感知研究”(21BTQ012);江苏省研究生科研与实践创新计划项目“数智赋能背景下国家科技安全风险评估及其应用研究”(KYCX24_0102)。
本文基于多源异构数据构建关键核心技术识别模型,通过对光刻技术论文、专利、新闻的收集与分析,依托LDA模型、结构洞理论和指标组合分析法,分别构建技术主题强度、技术等级度、技术价值度和技术价值稳定性四个指标来分别体现技术的成长...
关键词:关键核心技术 多源异构数据 技术识别 光刻技术 
基于三重螺旋的芯片光刻关键核心技术创新网络结构演化研究
《演化与创新经济学评论》2024年第2期92-108,共17页王成军 王佳莲 张凯 李辉 
安徽省哲学社会科学规划重点项目研究成果(AHSKZ2021D04);安徽财经大学科研创新基金项目(ACYC2022024)
关键核心技术“卡脖子”是国家亟待解决的重要问题,研究芯片关键核心技术的创新网络结构演化对促进芯片光刻技术行业的发展意义重大。这里以1997~2021年中国芯片光刻行业官产学联合专利申请数据为样本,基于三重螺旋理论对官产学合作类...
关键词:关键核心技术 三重螺旋 创新网络分析 芯片光刻技术 
逆向光刻工艺进展被引量:1
《激光与光电子学进展》2024年第21期1-23,共23页王富天 魏娟 王翠香 姜淼 穆昱 于春龙 刘蕊华 李福 范菁晶 刘金来 秦靖康 田恩强 孙松 王冲 刘晓楠 杨昊 梁迪 闫彬斌 李亮 曹清晨 师江柳 
光刻是先进集成电路制造的关键工艺,其利用光衍射-干涉和光化学反应原理,将集成电路图形从掩模版转移到半导体晶圆上。随着摩尔定律的不断推进,光刻关键尺寸逐步微缩,逼近光刻机的分辨率极限。由于光学邻近效应的作用,晶圆上的光刻成像...
关键词:逆向光刻技术 计算光刻 光刻 掩模版 
近场作用下纳米针尖点接触界面传热研究
《工程热物理学报》2024年第10期3131-3136,共6页徐屾 邓书港 黄小娜 黄德钊 岳亚楠 
国家重点研发计划(No.2019YFE0119900);国家自然科学基金项目(No.52076156,No.52106220)。
扫描探针光刻技术可实现10 nm以下的材料加工,为微纳加工技术带来新的发展方向。但在该技术中针尖与样品间热量传递是影响材料温升和加工效果的关键因素。本文设计了一种金纳米针尖阵列支撑的单层石墨烯结构,在真空条件下,针尖与石墨烯...
关键词:界面接触热阻 纳米针尖 拉曼光谱 近场增强 扫描探针光刻技术 
专利视角看光刻机技术应用
《中国科技信息》2024年第19期42-44,共3页程小梅 尹春梅 
光刻机是半导体制造过程中的核心设备之一,它包括光源、掩模版、光学系统、工件台等关键组件。光刻机的设计和制造难度极高,需要精确控制光源波长、光学系统的数值孔径、工件台的定位精度等,以实现高精度的图案转移。随着技术的发展,光...
关键词:光刻机 微电子芯片 半导体制造 极紫外光刻 光刻技术 数值孔径 工件台 集成电路生产 
基于激光全息光刻技术的高效样品制备方法研究
《印刷技术》2024年第5期39-42,共4页毛一丁 张圆圆 
研究背景和目的激光全息光刻是利用激光全息原理,将具有特殊光学效果的图案或标识制作在产品或包装上的一种技术。激光全息光刻产品的制作过程包括模板制作、信息复制、复合及模切工序。一款定制的激光全息光刻产品需要先经过产前打样...
关键词:光学效果 批量生产 激光全息 模板制作 样品制备方法 
微纳制造技术的发展趋势与发展建议
《前瞻科技》2024年第3期7-18,共12页林启敬 张福政 赵立波 
国家重点研发计划(2021YFB3201800)。
微纳制造技术能够实现微纳米级别的高精密加工,是现代高科技制造领域的核心技术。提升微纳制造技术水平,有助于提高中国高端制造业的整体竞争力,对推动科技创新和促进产业升级具有积极意义。文章概述了微纳制造技术体系,着重分析了芯片...
关键词:微纳制造 精密加工 光刻技术 微/纳机电系统 纳米材料 
MOA框架下关键核心技术突破路径研究——以光刻技术领域为例
《情报杂志》2024年第9期112-120,138,共10页陈钰芬 黄俊杰 王科平 
国家社会科学基金重大项目“高质量发展视域下创新要素配置的统计测度与评价研究”(编号:19ZDA122);浙江省科技计划项目“三大科创高地战略技术领域统计体系构建”(编号:2023C25065)研究成果。
[研究目的]识别关键核心技术突破路径,加快实现科技自立自强对维护我国产业链供应链安全具有重要的现实意义。[研究方法]基于组织行为视角,通过MOA(动机-机会-能力)分析框架厘清7个变量作为企业突破关键核心技术的前因条件。在此基础上...
关键词:关键核心技术 MOA框架 fsQCA 光刻技术 突破路径 演变轨迹 
极紫外光刻新技术问世
《电子质量》2024年第8期75-75,共1页
据报道,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST:Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University)设计了一种极紫外(EUV:Extreme Ultra-Violet)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的...
关键词:半导体制造业 极紫外光刻 光刻设备 光刻技术 日本冲绳 EUV光刻 降低成本 
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