极紫外光刻

作品数：142被引量：339H指数：10
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激光锡等离子体的状态参数分布和极紫外波段辐射的模拟研究
《物理学报》2025年第3期1-15,共15页敏琦 王国栋 何朝伟 何思奇 卢海东 刘兴邦 武艳红 苏茂根 董晨钟 
国家自然科学基金(批准号:12474279,12064040,12464036,12374384);中央引导地方财政专项(批准号:23ZYQA293)资助的课题。
激光锡(Sn)等离子体光源是当前先进极紫外(EUV)光刻机中最为核心的分系统,其辐射出的13.5 nm附近2%带宽内的EUV光的功率值和稳定性是决定整个光刻机是否成功的关键指标之一,本文针对激光Sn等离子体光源这一复杂系统,开展了详细的关于等...
关键词：极紫外光刻光源 激光锡等离子体 辐射流体力学程序 极紫外光谱 
基于图像去模糊算法的缺陷检测信号增强方法
《中国激光》2024年第23期63-71,共9页王强 曾志男 
国家自然科学基金(91950203,11874374)。
极紫外(EUV)光刻是目前最先进的光刻技术,但是曝光过程中掩模上极小的缺陷也会导致晶圆的关键尺寸发生很大变化。因此,若要保证极紫外光刻良品率,缺陷检测算法就必须具备对掩模上的极小缺陷进行检测的能力。目前的一些缺陷检测方法受实...
关键词：极紫外光刻 掩模缺陷检测 图像去模糊 信号增强 
清华大学稳态微聚束在EUV光刻中的应用
《科技视界》2024年第28期1-3,共3页刘京徽 范伟 
基于极紫外EUV光源的光刻技术是纳米芯片制造产业的关键核心,其中EUV光源功率是限制EUV光刻机用于大规模商业生产的主要技术限制因素,极紫外光刻技术的发展极需更高功率的光刻光源。基于稳态微聚束的EUV光源是一种极具潜力的高功率极紫...
关键词：稳态微聚束 极紫外光刻 专利布局 
专利视角看光刻机技术应用
《中国科技信息》2024年第19期42-44,共3页程小梅 尹春梅 
光刻机是半导体制造过程中的核心设备之一,它包括光源、掩模版、光学系统、工件台等关键组件。光刻机的设计和制造难度极高,需要精确控制光源波长、光学系统的数值孔径、工件台的定位精度等,以实现高精度的图案转移。随着技术的发展,光...
关键词：光刻机 微电子芯片 半导体制造 极紫外光刻 光刻技术 数值孔径 工件台 集成电路生产 
极紫外光刻新技术问世
《电子质量》2024年第8期75-75,共1页
据报道,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST:Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University)设计了一种极紫外(EUV:Extreme Ultra-Violet)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的...
关键词：半导体制造业 极紫外光刻 光刻设备 光刻技术 日本冲绳 EUV光刻 降低成本 
极紫外光刻量产良率的保障:掩模版保护膜
《光学仪器》2024年第4期81-94,共14页李笑然 李丰华 
当前信息技术的快速发展,需要不断扩大高端芯片的产能和良率,以满足当下及未来对电子产品持续增长的需求。在高端芯片制造环节中的极紫外光刻过程中,任何落在掩模版上的纳米尺度的颗粒污染,都会使曝光成像的图案产生缺陷而降低光刻制程...
关键词：极紫外光刻 良品率 保护膜 透过率 自支撑 薄膜 
现代化产业体系中科技创新与产业创新的深度融合:全球新一代光刻系统的启示被引量：2
《中国科学院院刊》2024年第7期1141-1152,共12页余江 陈凤 郭玥 
国家自然科学基金(72334007、72204227、71834006);中国科学院战略性先导科技专项(XDA0380000);教育部哲学社会科学重大课题攻关项目(20JZD022)。
以科技创新引领现代化产业体系建设是把握新一轮科技革命和产业变革机遇的战略选择,也是面向高水平科技自立自强赢得战略主动的必然之举。科技创新是产业创新的内生动力,产业创新是科技创新的价值实现,构建和完善现代化产业体系关键在...
关键词：现代化产业体系 科技创新 产业创新 深度融合 极紫外光刻 
用于极紫外光刻非球面光学元件检测的复合三相位计算全息元件
《光学学报》2024年第14期119-125,共7页张海涛 谢常青 
国家自然科学基金(62375281);应用光学国家重点实验室开放基金(SKLAO2021001A05)。
提出一种同时出射3个波前的复合三相位计算全息图(CGH),并将其应用于波前误差校正。通过6次组合测量标定出CGH基底制造误差和图形位置误差,并在检测结果中予以消除。所测试的极紫外光刻(EUVL)非球面光学元件峰谷(PV)值和均方根(RMS)误...
关键词：测量 非球面 复合相位 计算全息图 组合测量 
基于宽带高次谐波的掩模版缺陷检测(特邀)
《光子学报》2024年第6期92-100,共9页李滢潇 曾志男 
国家自然科学基金(No.91950203)。
使用严格的时域有限差分法研究高次谐波光源的检测能力,探索不同波长光源的检测潜力。在综合考虑散射光效率和入射光光强的前提下,与光化波长检测相比,较长波长的光源如38 nm对直径小于10 nm的表面缺陷具有更好的检测能力。此外,38 nm...
关键词：高次谐波 极紫外光刻 暗场成像 缺陷检测 有限时域差分法 
EUV掩模白板缺陷的反射近场模拟研究
《材料科学》2024年第6期983-991,共9页白智成 
极紫外光刻掩模白板是制造光刻图形的基础,随着极紫外光刻技术的不断发展,工艺要求逐渐向“零缺陷”掩模标准推进。在7 nm及以下节点,缺陷对于极紫外掩模白板良率的影响不可忽视。本文采用时域有限差分(Finite-Difference Time-Domain, ...
关键词：极紫外光刻 掩模白板 时域有限差分 相位缺陷 
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