清华大学稳态微聚束在EUV光刻中的应用  

作　　者：刘京徽 范伟[1] 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心,北京100160

出　　处：《科技视界》2024年第28期1-3,共3页Science & Technology Vision

摘　　要：基于极紫外EUV光源的光刻技术是纳米芯片制造产业的关键核心,其中EUV光源功率是限制EUV光刻机用于大规模商业生产的主要技术限制因素,极紫外光刻技术的发展极需更高功率的光刻光源。基于稳态微聚束的EUV光源是一种极具潜力的高功率极紫外光刻光源。文章介绍了稳态微聚束EUV光源的产生原理,对比了稳态微聚束EUV光源与LPP-EUV光源的优势,总结了稳态微聚束EUV光源当前的技术现状和研究难点,以及需要解决的问题和挑战。

关 键 词：稳态微聚束 极紫外光刻 专利布局 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]