超浅结

作品数：24被引量：13H指数：2
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预非晶化和碳共注入在超浅结工艺中的应用
《半导体技术》2016年第10期764-768,共5页许晓燕 陈文杰 刘兴龙 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02013-006)
针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜(TEM),二次离子质谱(SIMS),扩展电阻法(SRP)等测试对超浅结特性进行评估。结果表明,采用激光退火和碳共注入的...
关键词：预非晶化 激光退火 共注入 硼扩散 超浅结 
High Resolution Medium Energy ion Scattering Analysis for Investigating UltraShallow Junction of Antimony Implanted in Conventional Silicon
《材料科学与工程（中英文A版）》2016年第1期17-22,共6页Talal H. Alzanki Kandil M. Kandil Chris Jeynes Brian J. Sealy Mohammad R. Alenezi AbdullahAlmeshal Naziha M. Aldukhanand Adel Ghoneim 
关键词：离子散射 硅晶片 超浅结 植入 能量离子 高分辨率 互补金属氧化物半导体 锑 
超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型被引量：3
《电子学报》2015年第1期94-98,共5页韩名君 柯导明 
国家自然科学基金(No.61076086;No.06070458);高等学校博士学科点专项科研基金(No.2103401110008)
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与M...
关键词：超浅结亚45nm MOSFET 二维电势半解析模型 亚阈值电流 
团簇离子束纳米加工技术研究进展
《中国表面工程》2014年第6期28-43,共16页张早娣 李慧 王泽松 付德君 
国家自然科学基金(11205116;11375133;11375135)
团簇离子束是带电的团簇,可以在电场、磁场作用下加速、传输或偏转,形成几个eV到几个MeV能量的离子束。文中阐述了团簇离子束的基本概念、产生方法和主要应用。大尺寸气体团簇和硼基团簇必须用高压气体超声绝热膨胀方法产生,然后通过电...
关键词：团簇离子束 离子加工 表面平化 超浅结 石墨烯 
激光脉冲退火对40nm超浅结和pMOS器件性能的优化被引量：1
《半导体技术》2014年第11期850-854,共5页张冬明 刘巍 张鹏 
使用二次离子质谱(SIMS)和电学特性参数测量深入研究了在40 nm低功耗工艺中,激光脉冲退火(LSA)对超浅结(USJ)以及其对pMOS器件有源区和多晶硅栅方块电阻、阈值电压卷曲曲线和本征特性曲线的影响。从SIMS结果可以看出,LSA由于其作用时间...
关键词：激光脉冲退火(LSA) 超浅结(USJ) 二次离子质谱(SIMS) 卷曲曲线 本征 特性曲线 
等离子体浸没离子注入技术与设备研究被引量：2
《半导体技术》2010年第7期626-629,共4页刘杰 汪明刚 杨威风 李超波 夏洋 
国家自然科学基金资助项目(60727003);国家重大专项项目(2009ZX02037)
基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了...
关键词：等离子体浸没离子注入 超浅结 感应耦合 线圈结构 脉冲偏压电源 
100nm P型超浅结制作工艺研究被引量：1
《微电子学》2010年第1期145-148,共4页鲜文佳 刘玉奎 
介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了影响超浅结形成的沟道效应和瞬态增强扩散效应;详细介绍了制作过程中对沟道效应和瞬态增强扩散效应的抑制。
关键词：超浅结 离子注入 快速热退火 沟道效应 瞬态增强扩散效应 
用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析(英文)
《半导体技术》2010年第1期39-42,89,共5页徐翠芹 Popadic Milos Nanver L.K. 茹国平 
Shanghai-Applied Materials Research Development Fund(07SA06)
研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(xn0)的情况下计算p区掺杂浓度分布的公式。xn0是计算p区掺杂分布所需的一个关键参数,通过将n区掺...
关键词：双边结 电容-电压 超浅结 
尖峰退火在深亚微米超浅结中的应用被引量：1
《集成电路应用》2008年第6期45-46,共2页周庆刚 
栅极和沟道的尺寸缩小，受限于源／漏结点和栅介质的发展。尽管金属栅和高k材料在逐步应用，短沟道效应（SCE）依然是个重大挑战。晶体管也会有多种二级效应：影响迁移率的载流子速度饱和效应、缩短器件寿命的热载流子效应和降低亚阈特...
关键词：深亚微米 应用 超浅结 热载流子效应 短沟道效应 退火 尺寸缩小 高K材料 
3-D分析进展满足器件要求
《集成电路应用》2008年第5期34-35,共2页Alexander E.Braun 
尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘制出器件完整的3-D分布——包括掺杂和载流子，”IMECS工艺技术部门材料与元件分析组的负责人Wi...
关键词：平面器件 3-D 载流子分布 FINFET 深度分辨率 技术部门 超浅结 方法学 
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