3-D分析进展满足器件要求  

作　　者：Alexander E.Braun 

出　　处：《集成电路应用》2008年第5期34-35,共2页Application of IC

摘　　要：尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘制出器件完整的3-D分布——包括掺杂和载流子，”IMECS工艺技术部门材料与元件分析组的负责人Wilfried Vandervorst这样说。“随着平面器件逐渐被像finFET这样的3-D结构所取代，探测掺杂或载流子分布的方法变得非常必要。这些方法需要在灵敏、定量、精确、可重复和空间／深度分辨率多个方面，提供与目前1-D和2-D工具类似的能力。”

关 键 词：平面器件 3-D 载流子分布 FINFET 深度分辨率 技术部门 超浅结 方法学 

分 类 号：TN324.2[电子电信—物理电子学] TP317[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]