载流子分布

作品数：36被引量：46H指数：4
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4H-SiC基MPS二极管迅回效应分析
《沈阳工业大学学报》2023年第6期697-703,共7页保玉璠 汪再兴 彭华溢 李尧 
国家自然科学基金青年基金项目(61905102);甘肃省科技厅计划项目(21JR7RA320,21YF5GA058)。
为优化二极管抗浪涌电流能力及正向特性,针对器件工艺参数对迅回效应的影响进行了研究。采用建模仿真对比不同参数下的器件正向特性,分别对P+区和漂移区的掺杂浓度以及P+区宽度3个方面进行讨论。提取在迅回效应过程中器件的正向偏置处...
关键词：混合肖特基/PIN(MPS)二极管 迅回效应 抗浪涌电流能力 载流子分布 双极模式 电导调制效应 大注入效应 掺杂浓度 
半导体光电子器件的课程教学设计
《电子技术（上海）》2023年第10期106-107,共2页黄强 张丽 戚飞 张楠 陈威威 唐孝生 
重庆邮电大学“课程思政”建设试点示范项目(XKCSZ2317);重庆邮电大学本科“金课”建设项目(XJKXX2021-26)。
阐述半导体光电子器件课程的教学内容与目标、教学方法和考核方式,探讨“非平衡PN结能带结构与载流子分布”基本概念和清晰物理图像的建立。
关键词：半导体 光电子器件 载流子分布 教学设计 
一种快速准确的大功率IGBT建模方法被引量：1
《中国电机工程学报》2023年第7期2826-2837,共12页刘欣 王利桐 梁贵书 齐磊 
国家重点研发计划项目(2017YFB0902400)。
高压大功率绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的准确建模对IGBT应用中的损耗计算、机理分析、骚扰特性预测有重要意义。基区载流子分布计算是IGBT建模的核心内容,对于计及不同注入条件下大功率IGBT载流子分布计...
关键词：大功率绝缘栅双极晶体管 静态输出特性 机理模型 载流子分布 不同注入条件 准静态和非准静态假设 
太赫兹光致力近场显微成像技术及应用研究
《光学仪器》2022年第5期61-68,共8页冯邱锴 刘逍 游冠军 
国家重点研发计划(2017YFF0106304、2016YFF0200306)。
设计并搭建了太赫兹光致力显微成像系统(THz PiFM),首次在太赫兹波段实现了近场光力纳米显微成像测量。该系统基于原子力显微镜,利用探针对所受力的灵敏检测能力,通过探测探针与样品之间近场偶极相互作用产生的光场梯度力,实现无探测器...
关键词：光致力显微镜 MoS_(2) 太赫兹近场成像 载流子分布 
单层MoS_(2)和WS_(2)的太赫兹近场显微成像研究被引量：2
《光学仪器》2022年第1期63-69,共7页叶鑫林 游冠军 
国家重点研发计划(2017YFF0106304,2016YFF0200306)。
采用太赫兹散射式扫描近场光学显微镜(THz s-SNOM)研究了化学气相沉积法制备的单层MoS_(2)和WS_(2)晶粒的太赫兹近场响应。在没有可见光激发时,未探测到可分辨的太赫兹近场响应,说明晶粒具有较低的掺杂载流子浓度。有可见光激发时,由于...
关键词：太赫兹散射式近场光学显微镜 二硫化钼 二硫化钨 光生载流子分布 近场成像 
高压大功率晶闸管反向恢复物理过程建模与计算被引量：1
《沈阳工业大学学报》2021年第3期247-253,共7页刘隆晨 李亚伟 喻悦箫 陈少卿 曹运龙 
国家自然科学基金项目(51807154);国家电网有限公司科技项目(52199718000W).
为了从微观物理角度阐释大功率晶闸管反向恢复过程的内在机理,基于载流子运输方程和物理模型,结合晶闸管结构参数及边界初始条件,利用仿真软件SILVACO建立了晶闸管二维物理仿真模型.将该仿真模型与外电路拓扑结合,搭建了晶闸管反向恢复...
关键词：换流阀 大功率晶闸管 半导体理论 反向恢复 微观物理 载流子分布 仿真计算 SILVACO软件 
半导体载流子分布的太赫兹近场显微表征被引量：3
《光学仪器》2020年第6期28-34,共7页刘逍 吴佩颖 屈明曌 顾虹宇 王启超 游冠军 
国家重点研发计划(2017YFF0106304,2016YFF0200306)。
基于自建的太赫兹散射型扫描近场显微镜系统(THz s-SNOM),研究了其在显微表征半导体载流子浓度分布中的应用。对基于半导体硅的静态随机存取存储器(SRAM)的纳米结构进行了近场显微成像测量,并采用可见光调控本征硅样品表面的载流子浓度...
关键词：扫描近场光学显微镜 太赫兹 纳米成像 半导体 
P型外延电阻率表面态的研究
《电子与封装》2020年第3期48-51,共4页仲张峰 韩旭 潘文宾 葛华 尤晓杰 王银海 杨帆 
P型硅外延材料是制备微波功率器件的关键基础材料,其电阻率的一致性直接影响器件的性能和可靠性。研究通过对Si、N、B 3种元素进行电负性对比,结合P型外延片电容-电压法(CV法)测试波动和纵向载流子分布(SRP)比较分析,确定了造成P型外延...
关键词：P型 表面态 纵向载流子分布(SRP) 电负性 
利用KFM探究半导体量子点载流子分布实验设计
《实验技术与管理》2020年第3期53-55,59,共4页许杰 李金泽 白刚 
国家自然科学基金项目(61804080);江苏省自然科学基金项目(BK20160909)。
为了使学生在微观尺度下观察和探究量子点中的载流子浓度分布特性,设计了基于开尔文力显微镜(KFM)的探究性实验。实验内容包括试样准备、KFM测试、数字信号处理和结果与讨论。根据半导体物理知识计算出量子点中的载流子浓度分布情况。...
关键词：载流子浓度 KFM 探究性实验 半导体量子点 
逆导型IGBT发展综述被引量：6
《中国电机工程学报》2019年第2期550-561,共12页刘志红 汤艺 盛况 
上海市科委科研计划项目(18511105100)~~
该文概述垂直型RC-IGBT自发明以来的主要发展和当前的主要研究问题,包括:IGBT正向输出特性的Snap-back抑制、RC-IGBT关断及二极管反向恢复动态波形优化、器件纵向漂移区载流子浓度分布优化、器件横向载流子密度及电场分布均匀性优化、...
关键词：逆导型IGBT RC—IGBT 回跳 反向恢复 载流子分布 
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