反向恢复

作品数：224被引量：402H指数：12
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集成低势垒二极管的1.2 kV SiC MOSFET器件功耗
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期309-316,共8页孙佳萌 付浩 魏家行 刘斯扬 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(62004037)。
针对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率模块续流过程中引起的高续流损耗问题,提出集成低势垒二极管的SiC MOSFET(LBD-MOS)结构。对LBD-MOS和传统的SiC MOSFET(CON-MOS)在相同面积下的总功耗进行研究,仿真结果表明,LBD-MO...
关键词：SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 集成低势垒二极管 导通功耗 续流功耗 开关功耗 反向恢复功耗 
具有低反向恢复电流峰值的全桥驱动电路
《现代导航》2024年第6期438-445,共8页张帆 
H桥驱动感性负载时,负载电流方向的改变会带来dv/dt噪声,从而使得桥臂上功率管的输出电流带有尖峰,恶化电路的电磁干扰(EMI)特性。为进一步降低功率管启动过程中的di/dt噪声和功率管启动中的电流峰值,在阐述了功率管弥勒平台及H桥开关...
关键词：H桥 DI/DT 全桥驱动 反向恢复电流 
考虑反向关断特性的晶闸管数字建模方法被引量：2
《高电压技术》2024年第7期2774-2783,共10页辛业春 郝欢 王拓 赫羽朋 江守其 王威儒 
国家重点研发计划(2021YFB2400900);东北电力大学博士科研启动基金(BSJXM-2021205)。
常用电磁暂态仿真软件提供的晶闸管模型忽略了晶闸管的反向关断特性,导致晶闸管换流器的换相失败仿真不精准。为提高对晶闸管阀的仿真准确性,建立了考虑过零点电流变化率、正向电流峰值和结温作用下晶闸管关断特征参数反向恢复电流峰值...
关键词：关断特性 换相失败 关断时间 反向恢复 反向阻断 正向阻断 
具有异质结体二极管和N包围型P柱的4H-SiC超结MOSFET
《电子元件与材料》2023年第12期1454-1461,共8页姚登浪 吴栋 张颖 郭祥 
贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271)。
利用TCAD仿真研究了一种具有异质结体二极管与N包围型P柱超结的4H-SiC UMOSFET(SJH-MOSFET)。通过在SJH-MOSFET中引入异质结和具有电荷平衡的超结结构,能够有效地优化器件的击穿电压、比导通电阻、反向恢复特性。研究结果表明,薄轻掺杂...
关键词：U-MOSFET 超结 4H-SIC 异质结 击穿电压 反向恢复 
大功率双向DC/DC储能变换器寄生参数振荡及抑制方法被引量：2
《电子器件》2023年第5期1399-1405,共7页王伟 刘宝泉 冯浪浪 陈鹏宇 
陕西省重点研发项目(2020GY-042)。
直流微电网是未来智能电网的重要组成部分,储能单元是其核心装备,双向Buck/Boost DC/DC变换器是储能单元能量管理的重要拓扑。在大功率场景下,Buck/Boost变换器寄生参数问题凸显,在MOSFET的开关过程中,电压尖峰振荡对功率器件安全运行...
关键词：储能变换器 Buck/Boost 寄生参数 反向恢复 RC吸收 
PIN快恢复二极管掺铂工艺改进
《厦门大学学报（自然科学版）》2023年第4期539-543,共5页郑志霞 陈轮兴 张丹 
福建省科技厅区域发展基金资助项目(2022H4007);福建省科技厅引导性基金资助项目(2022H0051)。
研究掺铂工艺对有效控制少数载流子寿命、缩短PIN快恢复二极管反向恢复时间、节约贵金属用量、提升器件综合性能具有重要意义.为了得到最优掺铂工艺,以电子束蒸发镀膜为参考基准,对比以液态铂源旋涂工艺在硅外延片N+面制备不同表面浓度...
关键词：快恢复二极管 少数载流子 反向恢复时间 正向压降 
基于扩展规格书数据的SiC功率MOSFET建模被引量：1
《电气技术》2023年第7期47-55,共9页王克柔 吴忠强 
本文提出一种实用的SiC功率MOSFET建模方法。所建立的模型可在图形化仿真软件中实现,用于电力电子电路损耗分析。首先,基于器件规格书数据建立器件的静态模型;然后,对SiC功率MOSFET的物理结构、物理特性进行分析,依据分析结果对规格书...
关键词：SiC功率MOSFET 建模 反向恢复 集总电荷模型 双脉冲测试 开关损耗 
电力系统用高电压快速恢复二极管坚固性优化
《固体电子学研究与进展》2022年第6期435-440,478,共7页和峰 刘钺杨 刘江 李翠 王耀华 晁武杰 金锐 魏晓光 
高压快恢复二极管芯片过渡区是反向恢复坚固性的薄弱点,一旦失效将影响电力装置稳定运行。提出了一种高阻型过渡区优化结构,通过建立三种模拟模型,研究了过渡区宽度和掺杂浓度对快恢复二极管反向恢复性能的影响。采用高阻型过渡区结构...
关键词：快恢复二极管 反向恢复 电流丝 坚固性 
一种描述硅PIN二极管反向恢复过程的二阶有限元方法
《河北师范大学学报（自然科学版）》2022年第6期564-574,共11页翟弋 张满红 宫婷婷 
江苏省自然科学基金(BK20191296);中央高校基本科研业务费专项资金资助课题(2019B19114)。
在现有文献中,为计算硅PIN二极管反向恢复过程,应用线性有限元(LFEM)方法将双极性扩散方程(ADE)写成变分形式.研究表明,为从变分函数中推导出ADE,p■(δp)/■t相关项必须被忽略.通过结合傅里叶展开(FE)和LFEM方法形成一个新的有限元法,...
关键词：PIN二极管 反向恢复 双极扩散方程 傅里叶展开 有限元法 
电压源变频器整流电路的二极管失效分析研究
《电子质量》2022年第10期54-57,62,共5页窦金龙 高军 姚震洋 
该文针对电压源变频器整流电路,逐级搭建试验回路进行试验,并运用仿真软件进行仿真,对其中的二极管失效原因及影响因素进行了分析研究,并提出改善措施。
关键词：电压源变频器 整流电路 反向恢复 
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