DI/DT

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一种具有高电流能力的雪崩触发栅控晶闸管
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期346-352,共7页孙新淇 杨禹霄 邓时雨 陈资文 刘超 孙瑞泽 陈万军 
国家自然科学基金资助项目(U21A20499,62334003)。
提出一种新的利用雪崩触发的MOS控制晶闸管(AT-MCT),在电容脉冲放电中实现了高电流峰值、高电流上升能力(di/dt)及非工作状态的非激活保护功能。器件结构包含P-body中的高掺杂雪崩层(N-AL)以及阴极区域和MOS结构分离的N+。当施加栅极电...
关键词：雪崩 电流峰值 高电流上升能力(di/dt) 瞬态载流子二维传输效应 非激活保护 
具有低反向恢复电流峰值的全桥驱动电路
《现代导航》2024年第6期438-445,共8页张帆 
H桥驱动感性负载时,负载电流方向的改变会带来dv/dt噪声,从而使得桥臂上功率管的输出电流带有尖峰,恶化电路的电磁干扰(EMI)特性。为进一步降低功率管启动过程中的di/dt噪声和功率管启动中的电流峰值,在阐述了功率管弥勒平台及H桥开关...
关键词：H桥 DI/DT 全桥驱动 反向恢复电流 
佛山地铁3号线直流馈线保护优化分析
《内蒙古科技与经济》2024年第22期132-135,共4页姜鑫伟 
通过分析直流馈线保护装置控制原理,结合佛山地铁3号线2022年9月22日大良钟楼站直流馈线开关跳闸典型案例,针对该事故案例中存在的相邻非故障区间跳闸问题进行深入分析,提出当前存在的直流馈线定值匹配性问题。通过对白云NDC4直流开关...
关键词：直流馈线 匹配性 定值 继电保护 DI/DT 保护优化 
dI/dt和dV/dt控制的自适应电流型IGBT栅极驱动
《华中科技大学学报（自然科学版）》2024年第9期9-15,共7页刘畅 杨硕瀚 童乔凌 李启东 
国家重点研发计划资助项目(2021YFB2401600)。
为了减小绝缘栅型双极晶体管(IGBT)在开关过程中产生的电磁干扰(EMI),设计了一款d I/dt和d V/dt控制的自适应电流型IGBT栅极驱动器.通过对IGBT器件开关过程的分析,总结出EMI产生的原因是IGBT在开启和关断过程中的电流过冲和电压过冲.为...
关键词：绝缘栅型双极晶体管(IGBT) 有源栅极驱动 电磁干扰(EMI) 电压过冲 电流过冲 开关损耗 
基于罗氏线圈检测电弧高频分量的电弧故障检测方法
《电气时代》2024年第8期88-91,共4页宣姝 毛茜 杨晓薇 程小明 
介绍了利用罗氏线圈di/dt传感器对低压交流电路中的串联电弧故障进行检测。通过模拟不同负载和电流等级下的串联电弧故障,了解电弧信号的模式和等级特征。罗氏线圈设计用于检测电弧信号的高频di/dt分量。实验结果清楚地表明,通过检测di...
关键词：串联电弧故障 不同负载 罗氏线圈 高频分量 DI/DT 低压交流 电弧故障检测 传感器 
浅谈基于电流变化特征量的保护方法
《电气工程应用》2023年第4期2-7,共6页杜川 
编者语:根据牵引网短路时和正常运行时电流的特点,结合电流上升率(di/dt)保护和电流增量(△I)保护的思想,提出了一种新的保护方案,并给出了整个保护方案的保护配置以及整定原则。
关键词：电流变化 电流上升率 整定原则 DI/DT 牵引网 保护配置 特征量 编者语 
基于固定时间判断的电流增量保护优化方案
《电工技术》2023年第23期37-39,共3页谢悦海 王攀 常宝波 
为解决地铁直流牵引供电系统出现阶跃波形时引起的保护误动问题,提出了一种基于固定时间判断的电流增量保护优化方案。首先,阐述了电流增量保护优化方案;然后,在固定时间内通过动态判断电流变化率与电流增量确定触发保护动作出口;其次,...
关键词：DI/DT 故障时间判断 保护优化方案 电流增量保护 
特高压直流换流阀饱和电抗器用超薄硅钢国产化研制
《中国科技成果》2023年第22期70-70,共1页韩钰 杨富尧 刘洋 孟利 程灵 何承绪 马光 高洁 王聪 孙浩 
阳极饱和电抗器是特高压直流换流阀保护晶闸管的核心部件.超薄取向硅钢是实现饱和电抗器在晶闸管开通和关断过程中抑制di/dt和dv/dt功能的关键材料,长期依赖从日本金属公司进口.
关键词：饱和电抗器 特高压直流换流阀 晶闸管 国产化研制 关断过程 DI/DT 关键材料 
如何抑制IGBT集电极过压尖峰
《变频器世界》2022年第8期38-41,共4页无 
引言IGBT关断时,集电极电流Ic迅速减小到0,急剧变化的di/dt流经在系统杂散电感,产生感应电压ΔV。ΔV叠加在母线电压上,使IGBT承受高于平常的电压应力。哪怕这电压尖峰时间很短,也可能对IGBT造成永久性损坏。di/dt与IGBT芯片特性有关,...
关键词：集电极电流 DI/DT 电压尖峰 永久性损坏 IGBT 感应电压 杂散电感 电压应力 
IGBT门极驱动到底要不要负压
《变频器世界》2022年第5期30-32,共3页
IGBT是一个受门极电压控制开关的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG电容产生分布电流灌入门极,使门极电压抬升,可...
关键词：DI/DT 门极电压 门极驱动 电流变化 电压变化 米勒电容 IGBT 高速开关 
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