检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
出 处:《变频器世界》2022年第5期30-32,共3页The World of Inverters
摘 要:IGBT是一个受门极电压控制开关的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG电容产生分布电流灌入门极,使门极电压抬升,可能导致原本处于关断状态的IGBT开通,如图1所示。电流变化di/dt可以通过发射极和驱动回路共用的电感产生电压,影响门极,如图2。
关 键 词:DI/DT 门极电压 门极驱动 电流变化 电压变化 米勒电容 IGBT 高速开关
分 类 号:TN3[电子电信—物理电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.36