如何抑制IGBT集电极过压尖峰  

作　　者：无 

机构地区：[1]英飞凌工业半导体

出　　处：《变频器世界》2022年第8期38-41,共4页The World of Inverters

摘　　要：引言IGBT关断时,集电极电流Ic迅速减小到0,急剧变化的di/dt流经在系统杂散电感,产生感应电压ΔV。ΔV叠加在母线电压上,使IGBT承受高于平常的电压应力。哪怕这电压尖峰时间很短,也可能对IGBT造成永久性损坏。di/dt与IGBT芯片特性有关,也与关断时器件电流有关。当器件在短路或者过流状态下关断时,集电极电压过冲会格外大,有可能超过额定值,从而损坏IGBT。

关 键 词：集电极电流 DI/DT 电压尖峰 永久性损坏 IGBT 感应电压 杂散电感 电压应力 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]