汪明刚

作品数：9被引量：20H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：等离子体等离子体浸没离子注入离子注入离子浸没更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《核聚变与等离子体物理》《激光与光电子学进展》《光电工程》更多>>
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Ar/CO/NH_3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层
《半导体技术》2015年第9期675-678,717,共5页刘上贤 汪明刚 夏洋 
基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀。采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组...
关键词：磁性材料 等离子体刻蚀 Ar/CO/NH3 磁随机存储器(MRAM) 多步刻蚀 
基于PSS刻蚀平台的真空微气压控制研究被引量：1
《光电工程》2013年第2期93-99,共7页林永奔 李勇滔 李超波 夏洋 汪明刚 陈焰 
国家自然科学基金资助项目(60727003)
针对当前图形化蓝宝石衬底ICP干法工艺刻蚀流程,对工艺腔室真空环境微气压调节非线性特征进行了动态监测,本文提出了一种基于自适应模糊PID的微气压控制算法。该算法利用质量流量计MFC及真空泵组减压阀的参数调节,实现真空环境微气压调...
关键词：图形化蓝宝石衬底 微气压 自适应模糊PID控制 MATLAB仿真 
图形化蓝宝石衬底工艺研究进展被引量：10
《半导体技术》2012年第7期497-503,581,共8页黄成强 夏洋 陈波 李超波 万军 汪明刚 饶志鹏 李楠 张祥 
国家自然科学基金资助项目(60727003)
图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底...
关键词：图形化蓝宝石衬底 发光二极管 光刻 纳米压印 刻蚀 
Cl_2/BCl_3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究
《半导体技术》2012年第5期367-370,共4页汪明刚 杨威风 李超波 刘训春 夏洋 
基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏...
关键词：氮化镓 干法刻蚀 氯气/氯化硼 感应耦合等离子体 侧壁形貌 
基于图形化蓝宝石衬底的HB-LED研究进展
《激光与光电子学进展》2012年第7期47-54,共8页黄成强 陈波 李超波 夏洋 汪明刚 饶志鹏 
为了制作高亮度LED,需要在图形化蓝宝石衬底上生长GaN材料。通过光刻在平坦蓝宝石衬底上制作掩膜图形,通过刻蚀将图形转移到蓝宝石衬底,得到图形化蓝宝石衬底。在图形化蓝宝石衬底上进行GaN的侧向外延生长,并做后续处理,就制成了基于图...
关键词：光学器件 HB-LED 外延 光电特性 
图形化蓝宝石衬底技术综述被引量：9
《激光与光电子学进展》2012年第8期35-43,共9页汪明刚 杨威风 胡冬冬 李超波 夏洋 
国家科技重大专项(2009ZX02037)资助课题
采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述...
关键词：材料 图形化蓝宝石衬底 发光二极管 内量子效率 GAN外延生长 光析出率 
腔室状态对图形化蓝宝石衬底刻蚀工艺的影响被引量：1
《半导体技术》2012年第3期216-220,共5页杨威风 汪明刚 刘杰 李超波 夏洋 高福宝 
图形化蓝宝石衬底是近年来针对高度发光二极管的应用要求发展起来的一种新技术。通过利用自主研制的工业化感性耦合等离子体刻蚀机对图形化蓝宝石衬底的刻蚀工艺进行了研究。采用光学发射光谱仪和扫描电镜研究了PSS生产过程中腔室状态...
关键词：图形化蓝宝石衬底 发光二极管 腔室状态 沉积物 感性耦合等离子体 
等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
《核聚变与等离子体物理》2010年第4期370-373,共4页汪明刚 刘杰 杨威风 李超波 夏洋 
国家科技重大专项(2009ZX02037);国家自然科学基金资助项目(60727003)
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该...
关键词：感应耦合等离子体 浸没注入 低能注入 注入掺杂 ENERGY 离子密度 注入深度 系统工作 掺杂离子浓度 二次离子质谱 直流电压源 射频功率源 径向均匀性 诊断结果 探针 离子剂量 技术设计 硅基片上 测试结果 圆柱形 
等离子体浸没离子注入技术与设备研究被引量：2
《半导体技术》2010年第7期626-629,共4页刘杰 汪明刚 杨威风 李超波 夏洋 
国家自然科学基金资助项目(60727003);国家重大专项项目(2009ZX02037)
基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了...
关键词：等离子体浸没离子注入 超浅结 感应耦合 线圈结构 脉冲偏压电源 
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