GAN外延生长

作品数：11被引量：12H指数：2
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相关作者：叶志镇朱丽萍赵炳辉孙佳胤倪贤锋更多>>
相关机构：中国科学院浙江大学中国电子科技集团公司第四十八研究所中国科学院微电子研究所更多>>
相关期刊：《电子材料快报》《电子工业专用设备》《今日科技》《功能材料与器件学报》更多>>
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Si衬底GaN外延生长的应力调控被引量：2
《电子工业专用设备》2018年第4期27-31,41,共6页巩小亮 陈峰武 罗才旺 鲍苹 魏唯 彭立波 程文进 
针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si(111)衬底上制备了100 mm(4英寸)无裂纹GaN外延材料。试验结果表明,AlN/Al GaN各层厚度的合理搭配和低温AlN插入层...
关键词：Si衬底GaN 外延生长 金属有机物化学气相沉积 应力调控 
图形化蓝宝石衬底技术综述被引量：9
《激光与光电子学进展》2012年第8期35-43,共9页汪明刚 杨威风 胡冬冬 李超波 夏洋 
国家科技重大专项(2009ZX02037)资助课题
采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述...
关键词：材料 图形化蓝宝石衬底 发光二极管 内量子效率 GAN外延生长 光析出率 
基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制
《功能材料与器件学报》2007年第4期367-370,共4页孙佳胤 陈静 王曦 王建峰 刘卫 朱建军 杨辉 
国家杰出青年基金(No.59925205);上海市政府国家照明工程计划(No.05d211006-3)
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制。采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段。结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延...
关键词：绝缘体上的硅 氮化镓 金属有机物化学气相外延 降低应力 
新颖的立式高真空MOCVD系统及GaN外延生长
《今日科技》2004年第7期57-57,共1页
关键词：MOCVD系统 GAN 外延生长 发光二极管 制备 量子阱 
立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长与器件制备被引量：1
《真空科学与技术学报》2004年第6期448-450,共3页朱丽萍 叶志镇 赵炳辉 倪贤锋 赵浙 
国家重点基础研究专项经费"973"(NoG20000683);教育部留学回国人员科启动基金;教外司留[2003]406号;国家自然科学基金重点项目(No90201038)
自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置 ,能够较好的调节反应气体的流动状态 ,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层。利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的GaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、p型Ga...
关键词：MOCVD GAN 外延生长 多量子阱 发光二极管 
用LiGaO2做基片的GaN外延生长
《电子材料快报》1999年第4期6-7,共2页义仡 
关键词：LiGaO 基片 氮化镓 外延生长 
GaN外延生长的新型衬底：r—LiAlO2
《电子材料快报》1999年第4期8-9,共2页毕叔和 
关键词：Ⅲ-Ⅴ族 化合物半导体 氮化镓 外延生长 衬底 
利用W掩膜进行GaN外延生长
《电子材料快报》1999年第2期11-12,共2页重木 
关键词：W掩膜 氮化镓 外延生长 
双缓冲层的GaN外延生长
《电子材料快报》1998年第11期12-13,共2页义仡 
关键词：缓冲层 氮化镓 外延生长 Ⅲ-Ⅴ族 化合物半导体 
Si（001）基片上的纤锌矿GaN外延生长
《电子材料快报》1998年第5期9-10,共2页黄义贞 
关键词：硅 基片 氮化镓 纤锌矿 外延生长 
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