双缓冲层的GaN外延生长  

作　　者：义仡 

出　　处：《电子材料快报》1998年第11期12-13,共2页

关 键 词：缓冲层 氮化镓 外延生长 Ⅲ-Ⅴ族 化合物半导体 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]