云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 刘训春

刘训春: 作品数：54被引量：74H指数：5; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文主题：晶体管HBT电子束曝光显影GAAS更多>>; 发文领域：电子电信自然科学总论一般工业技术更多>>; 发文期刊：《微细加工技术》《功能材料》《半导体技术》《电子学报》更多>>; 所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>

磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究被引量：1: 《功能材料》2013年第18期2625-2629,共5页邵花王文东刘训春夏洋; 国家科技重大专项02专项资助项目(2009ZX02001-002); 在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、...; 关键词：磁控溅射 TA 薄膜电阻率

Cl_2/BCl_3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究: 《半导体技术》2012年第5期367-370,共4页汪明刚杨威风李超波刘训春夏洋; 基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏...; 关键词：氮化镓干法刻蚀氯气/氯化硼感应耦合等离子体侧壁形貌

A Ka Broadband High Gain Monolithic LNA with a Noise Figure of 2dB被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2008年第8期1457-1460,共4页黄清华刘训春郝明丽张宗楠杨浩; A four-stage monolithic microwave integrated circuits （MMIC） low noise amplifier （LNA） operating from 23 to 36GHz is reported using commercially available 0.15μm PHEMT technology. The LNA is self-biased. To achie...; 关键词：MMIC LNA Ka broadband NF high gain

GaAs PIN Diodes for X-Band Low Loss and High Isolation Switches被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第5期832-835,共4页吴茹菲张海英尹军舰张健刘会东刘训春; 国家自然科学基金(批准号:10002909);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~; GaAs PIN diodes optimized for X-band low loss and high isolation switch application are presented. The impact of diode physical characteristics and electrical parameters on switch performance is discussed. A new struc...; 关键词：GaAs PIN diodes LOW-LOSS high-isolation SWITCH

A Novel Equivalent Circuit Model of GaAs PIN Diodes被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第4期672-676,共5页吴茹菲张海英尹军舰李潇刘会东刘训春; 国家自然科学基金(批准号:10002909);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~; A novel equivalent circuit model for a GaAs PIN diode is presented based on physical analysis. The diode is divided into three parts： the p^＋ n^- junction, the i-layer, and the n^- n^＋ junction, which are modeled s...; 关键词：OaAs PIN diodes MODEL parameter extraction

UHF平衡式宽带20W功率放大器被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2008年第2期361-365,共5页黄清华郝明丽王宇晨张宗楠刘训春; 报道了一款自主设计并研制成功的UHF频段宽带大功率放大器,采用PCB工艺实现了基于LANGE耦合器的平衡放大结构.通过调整耦合端和直通端的谐振支路,在损耗与对称性之间折衷,LANGE耦合器的性能得到极大改善,满足了平衡电路的要求.由此LANG...; 关键词：宽带超高频功率放大器郎格耦合器

In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs with f_(max) of 183GHz被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第12期1860-1863,共4页刘亮张海英尹军舰李潇杨浩徐静波宋雨竹张健牛洁斌刘训春; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G2002CB311901)~~; By epitaxial layer structure design and key fabrication process optimization,a lattice-matched InP-based In0.53Ga0.47 As-In0.52Al0.48As HEMT with an ultra high maximum oscillation frequency （fmax） of 183GHz was fab-...; 关键词：maximum oscillation frequency/power-gain cutoff frequency high electron mobility transistor InGaAs/InAIAs INP

Ultrahigh-Speed Lattice-Matched In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs with 218GHz Cutoff Frequency被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第12期1864-1867,共4页刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹牛洁斌刘训春; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901);中国科学院支撑技术(批准号:61501050401C)资助项目~~; Lattice-matched In0.5 Ga0.47 As/In0.52 Al 0.48 As high electron mobility transistors （HEMTs） with a cutoff frequency （ft） as high as 218GHz are reported. This fT is the highest value ever reported for HEMTs in Chi...; 关键词：cutoff frequency high electron mobility transistor lnGaAs/InA1As lnP

A New Method for InGaAs/InP Composite Channel HEMTs Simulation: 《Journal of Semiconductors》2007年第11期1706-1711,共6页刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹刘训春; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G2002CB311901)~~; A new method is used to simulate InGaAs/InP composite channel high electron mobility transistors （HEMTs）. By coupling the hydrodynamic model and the density gradient model, the electron density distribution in the c...; 关键词：InP INGAAS composite channel HEMTS SIMULATION

一种高增益平坦度MMIC功放单片的调试方法被引量：2: 《电子器件》2007年第4期1219-1222,共4页朱旻梁晓新陈立强郝明丽张海英刘训春; 国家自然科学基金项目:"InP基HEMT复合沟道优化设计与模型建立"(60276021);国家重点基础研究规划资助项目:"新结构InP基HEMT器件和E/D型HEMT电路"(2002CB311901); 通过对自主流片的MMIC功率放大器单片的调试,总结出了一套行之有效的MMIC的调试方法.试验结果表明这种将电路仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,对于以后MMIC电路特别是功放的电路的调试工...; 关键词：功放 HBT MMIC

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