A New Method for InGaAs/InP Composite Channel HEMTs Simulation  

一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法(英文)

作　　者：刘亮[1] 张海英[1] 尹军舰[1] 李潇[1] 徐静波[1] 宋雨竹[1] 刘训春[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第11期1706-1711,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G2002CB311901)~~

摘　　要：A new method is used to simulate InGaAs/InP composite channel high electron mobility transistors （HEMTs）. By coupling the hydrodynamic model and the density gradient model, the electron density distribution in the channel in different electric fields is obtained. This method is faster and more robust than traditional meth- ods and should be applicable to other types of HEMTs simulations. A detailed study of the InGaAs/InP composite channel HEMTs is presented with the help of simulations.采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.

关 键 词：InP INGAAS composite channel HEMTS SIMULATION 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]