GaAs PIN Diodes for X-Band Low Loss and High Isolation Switches  

X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管(英文)

作　　者：吴茹菲[1] 张海英[1] 尹军舰[1] 张健[1] 刘会东[1] 刘训春[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第5期832-835,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10002909);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~

摘　　要：GaAs PIN diodes optimized for X-band low loss and high isolation switch application are presented. The impact of diode physical characteristics and electrical parameters on switch performance is discussed. A new structure for GaAs PIN diodes is proposed and the fabrication process is described. GaAs PIN diodes with an on-state resistance of 〈2. 2Ω and off-state capacitance -〈20fF in the range of 100MHz to 12.1GHz are obtained.报道了一种适用于X波段的低损耗高隔离度开关的GaAs PIN二极管.讨论了GaAs PIN二极管的物理特性和主要电学参数对开关性能的影响,并且介绍了工艺制备过程.测试结果表明在100MHz^12.1GHz范围内,正向电流为10 mA时的开关电阻小于2.2Ω,而反向电压为-10 V时开关电容小于20fF.

关 键 词：GaAs PIN diodes LOW-LOSS high-isolation SWITCH 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]