In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs with f_(max) of 183GHz  

功率增益截止频率为183GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs(英文)

作　　者：刘亮[1] 张海英[1] 尹军舰[1] 李潇[1] 杨浩[1] 徐静波[1] 宋雨竹[1] 张健[1] 牛洁斌[1] 刘训春[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第12期1860-1863,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G2002CB311901)~~

摘　　要：By epitaxial layer structure design and key fabrication process optimization,a lattice-matched InP-based In0.53Ga0.47 As-In0.52Al0.48As HEMT with an ultra high maximum oscillation frequency （fmax） of 183GHz was fab- ricated. The fmax is the highest value for HEMTs in China. Also, the devices are reported, including the device structure, the fabrication process, and the DC and RF performances.通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.

关 键 词：maximum oscillation frequency/power-gain cutoff frequency high electron mobility transistor InGaAs/InAIAs INP 

分 类 号：TN325.3[电子电信—物理电子学]