尖峰退火在深亚微米超浅结中的应用  

作　　者：周庆刚 

机构地区：[1]应用材料中国公司

出　　处：《集成电路应用》2008年第6期45-46,共2页Application of IC

摘　　要：栅极和沟道的尺寸缩小，受限于源／漏结点和栅介质的发展。尽管金属栅和高k材料在逐步应用，短沟道效应（SCE）依然是个重大挑战。晶体管也会有多种二级效应：影响迁移率的载流子速度饱和效应、缩短器件寿命的热载流子效应和降低亚阈特性的漏极诱发势垒降低效应（DIBL）。

关 键 词：深亚微米 应用 超浅结 热载流子效应 短沟道效应 退火 尺寸缩小 高K材料 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学] TN386.1