徐翠芹

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用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析(英文)
《半导体技术》2010年第1期39-42,89,共5页徐翠芹 Popadic Milos Nanver L.K. 茹国平 
Shanghai-Applied Materials Research Development Fund(07SA06)
研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(xn0)的情况下计算p区掺杂浓度分布的公式。xn0是计算p区掺杂分布所需的一个关键参数,通过将n区掺...
关键词：双边结 电容-电压 超浅结 
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