300mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析  

Mathematical Modeling and Analysis of Double-sided Polishing Process for 300 mm Silicon Wafers

作　　者：库黎明[1] 闫志瑞[1] 索思卓[1] 常青[1] 周旗钢[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京100088

出　　处：《微电子学》2008年第3期373-376,共4页Microelectronics

基　　金：国家高技术研究发展(863)计划"十五重大专项"基金资助项目(2002AA3Z1110)

摘　　要：建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘部分的局部平整度。优化四个转速,可以显著改善300mm硅片表面的平整度和局部平整度。A motion model based on the analysis of mathematical modeling was established to study motion path in double-sided polishing process for 300 mm silicon wafers. Results showed that rotation speeds had significant impact on the geometry, especially on the site flatness （SFQR）. The findings are helpful in optimizing parameters for double-sided polishing of 300 mm silicon wafers.

关 键 词：300 mm硅片 双面抛光 数学模拟 轨迹 平整度 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]