盛方毓

作品数：3被引量：2H指数：1
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高温氩退火对提高Si片质量的研究被引量：1
《半导体技术》2013年第4期302-305,共4页李宗峰 冯泉林 赵而敬 盛方毓 王磊 李青保 
国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401;2009ZX02011)
首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几...
关键词：高温氩退火 空洞型微缺陷 栅氧化层完整性 直拉单晶硅 晶体原生粒子缺陷 
300mm硅片表面延性磨削机理研究
《微电子学》2009年第6期879-882,共4页葛钟 库黎明 陈海滨 盛方毓 索思卓 闫志瑞 
国家02专项(2008ZX02401)
根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论，通过设定磨削参数，使之满足硅片的延性磨削条件。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）对磨削硅片表面和截面进行分析研究。研究结果表明：硅片表面形成规律的磨削印痕，...
关键词：300 mm硅片 延性磨削 临界深度 损伤层 
抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究被引量：1
《半导体技术》2008年第12期1084-1087,共4页索思卓 库黎明 黄军辉 葛钟 陈海滨 张国栋 盛方毓 阎志瑞 
抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光...
关键词：精抛光 抛光垫 化学机械抛光 HAZE 
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