抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究  

Study on the Influence of Pad Lifetime on 300 mm Si Wafer Surface Haze

作　　者：索思卓[1] 库黎明[1] 黄军辉[1] 葛钟[1] 陈海滨[1] 张国栋[1] 盛方毓[1] 阎志瑞[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京100088

出　　处：《半导体技术》2008年第12期1084-1087,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义。Polishing pad is one of the major consumables in process of chemical mechanical polishing （CMP）, and the physical properties of polishing-pad can effect the surface quality because the polishing pad contacts with the surface directly. The influence of different lifetime on surface haze and morphology was studied. It shows that the changing of pad time results in a difference on the surface haze value and morphology. It reveals that it will be helpful to find the appropriate lifetime of the polishing pad. ：

关 键 词：精抛光 抛光垫 化学机械抛光 HAZE 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]