鲁进军

作品数：3被引量：27H指数：2
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：超大规模集成电路300MM硅片硅片化学机械抛光氧浓度更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《稀有金属》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
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重掺硼硅片表面清洗研究
《稀有金属》2017年第1期52-56,共5页墨京华 李俊峰 刘大力 刘斌 鲁进军 周旗钢 
国家科技重大专项项目(2010zx02302-001)资助
研究了SC-1清洗过程对重掺硼和轻掺硼硅片表面颗粒、微粗糙度的影响及其清洗后硅片表面化学组态分布,采用表面颗粒激光扫描仪、原子力显微镜及X射线光电子能谱(XPS)对重掺硼和轻掺硼硅片在SC-1清洗过程中表现的不同清洗特性进行分析。...
关键词：重掺B硅单晶 表面微粗糙度 颗粒 SC-1清洗 
CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布影响的数值模拟被引量：9
《稀有金属》2011年第6期909-915,共7页常麟 周旗钢 戴小林 鲁进军 卢立延 
国家科技重大专项(2008ZX02401)项目资助
利用有限元分析软件对Φ300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律。随着通电线圈距离和半径的增大...
关键词：直拉硅单晶 CUSP磁场 氧浓度 有限元分析 数值模拟 
300mm硅片化学机械抛光技术分析被引量：18
《半导体技术》2006年第8期561-564,共4页闫志瑞 鲁进军 李耀东 王继 林霖 
国家863资助项目(2004AA3Z1140)
化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点...
关键词：化学机械抛光 超大规模集成电路 硅片 双面抛光 
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